[發明專利]一種基于硅基超材料的太赫茲波調制器在審
| 申請號： | 202010166069.7 | 申請日： | 2020-03-11 |
| 公開（公告）號： | CN111240050A | 公開（公告）日： | 2020-06-05 |
| 發明（設計）人： | 文天龍;胡廣堯 | 申請（專利權）人： | 電子科技大學 |
| 主分類號： | G02F1/017 | 分類號： | G02F1/017 |
| 代理公司： | 上海思牛達專利代理事務所(特殊普通合伙) 31355 | 代理人： | 雍常明 |
| 地址： | 611731 四川*** | 國省代碼： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 基于 硅基超 材料 赫茲 調制器 | ||
【權利要求書】：
1.一種硅基超材料太赫茲波調制器，其特征在于，包括
硅基底層(2)
超材料結構層(1)，所述超材料結構層(1)生長在硅基底層(2)的一側表面。
2.根據權利要求1所述的一種硅基超材料太赫茲波調制器，其特征在于，所述調制器采用加載電壓和激光照射激勵信號的方式使調制效果產生。
3.一種硅基超材料太赫茲波調制器的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：
S1、通過電磁仿真軟件CST microwave studio仿真確定超材料結構參數；
S2、通過光刻在硅基上形成超材料結構圖形；
S3、通過磁控濺射將金屬銅濺射在光刻圖形上，采用后濕法剝離多余光刻膠；
S4、基片電極處接線，即完成對硅基超材料太赫茲波調制器的制備。
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