[發明專利]顯示面板及其制作方法有效
| 申請號: | 202010165961.3 | 申請日: | 2020-03-11 |
| 公開(公告)號: | CN111200005B | 公開(公告)日: | 2022-08-23 |
| 發明(設計)人: | 曹祖強 | 申請(專利權)人: | 武漢華星光電半導體顯示技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/52 |
| 代理公司: | 深圳紫藤知識產權代理有限公司 44570 | 代理人: | 唐秀萍 |
| 地址: | 430079 湖北省武漢市東湖新技術*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示 面板 及其 制作方法 | ||
1.一種顯示面板,其特征在于,所述顯示面板包括顯示區及位于所述顯示區外圍的非顯示區,所述非顯示區包括扇出走線區、及連接所述顯示區與所述扇出走線區的信號傳輸區;
所述信號傳輸區內設置有襯底及位于所述襯底上的至少一條數據信號線,所述數據信號線包括第一保護層、位于所述第一保護層上的電線層、及位于所述電線層上的第二保護層;
其中,至少部分所述電線層被所述第二保護層覆蓋,所述第二保護層搭接在所述電線層的側面上,搭接在所述電線層的側面上的所述第二保護層在所述電線層的側面上的正投影為多個梯形或多個三角形。
2.根據權利要求1所述的顯示面板,其特征在于,在垂直于所述數據信號線的方向上,所述第二保護層的邊界超過所述第一保護層的邊界,所述第二保護層與所述襯底搭接。
3.根據權利要求1所述的顯示面板,其特征在于,所述第一保護層包括第一凹槽,所述電線層位于所述第一凹槽內;
所述電線層的厚度小于或等于所述第一凹槽的深度。
4.根據權利要求3所述的顯示面板,其特征在于,所述第二保護層填充于所述第一凹槽內,所述第二保護層與所述電線層的厚度之和大于或等于所述第一凹槽的深度。
5.根據權利要求1所述的顯示面板,其特征在于,在垂直于所述數據信號線的方向上,所述第二保護層的邊界超過所述電線層的邊界,所述第二保護層與所述第一保護層搭接。
6.一種顯示面板的制作方法,所述顯示面板包括顯示區及位于所述顯示區外圍的非顯示區,所述非顯示區包括扇出走線區、及連接所述顯示區與所述扇出走線區的信號傳輸區,其特征在于,所述顯示面板的制作方法包括:
在所述信號傳輸區內的襯底上形成多個第一保護層;
在所述第一保護層上形成電線層;
在所述電線層上形成第二保護層;
其中,所述在所述電線層上形成第二保護層的步驟包括:
在所述電線層上形成第二保護膜層;
所述第二保護膜層經第二次圖案化處理形成所述第二保護層;
其中,至少部分所述電線層被所述第二保護層覆蓋,所述第二保護層搭接在所述電線層的側面上,搭接在所述電線層的側面上的所述第二保護層在所述電線層的側面上的正投影為多個梯形或多個三角形。
7.根據權利要求 6所述的顯示面板的制作方法,其特征在于,形成多個第一保護層及所述電線層的步驟包括:
在所述信號傳輸區內的襯底上形成第一保護膜層;
所述第一保護膜層經第一次圖案化處理形成包括第一凹槽的多個所述第一保護層;
在所述第一凹槽內形成所述電線層;
其中,所述電線層的厚度小于或等于所述第一凹槽的深度。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





