[發(fā)明專(zhuān)利]N型分片太陽(yáng)能電池結(jié)構(gòu)及其制作方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010165817.X
• 申請(qǐng)日: 2020-03-11
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN111326606A
• 公開(kāi)（公告）日: 2020-06-23
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 楊黎飛;楊青松;李杏兵;張聞斌
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 蘇州光匯新能源科技有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L31/18
• 分類(lèi)號(hào): H01L31/18;H01L31/042
• 代理公司: 南京利豐知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 32256
• 代理人: 趙世發(fā);王鋒

1.一種N型分片太陽(yáng)能電池結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于包括：

提供n型太陽(yáng)能電池基體，并至少在所述基體一側(cè)表面加工形成用于裂片的切槽；

至少在所述基體的一側(cè)表面形成連續(xù)的鈍化層，并使所述切槽的切槽壁被鈍化層覆蓋；

沿所述的切槽對(duì)所述基體進(jìn)行裂片，形成分片電池，且使所述分片電池邊緣未被所述鈍化層覆蓋的準(zhǔn)中性區(qū)上形成自然氧化層；

以氫等離子體對(duì)所述分片電池邊緣未被所述鈍化層覆蓋的準(zhǔn)中性區(qū)及所述自然氧化層進(jìn)行鈍化處理。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制作方法，其特征在于具體包括：在所述基體的第一表面加工出所述的切槽，在所述基體的第一表面形成連續(xù)的第一鈍化層、在所述第二基體的第二表面形成連續(xù)的第二鈍化層，并使所述切槽的槽壁也被所述第一鈍化層覆蓋，所述第一鈍化層與所述基體構(gòu)成異質(zhì)p-n結(jié)，其中，所述第一表面和第二表面背對(duì)設(shè)置；和/或，所述鈍化層包括疊層設(shè)置的化學(xué)鈍化層和場(chǎng)鈍化層。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的制作方法，其特征在于具體包括：采用n型單晶硅片作為所述的基體，在所述基體的第一表面沉積本征氫化非晶硅薄膜與p型氫化非晶硅薄膜的疊層作為第一鈍化層，在所述基體的第二表面沉積本征氫化非晶硅薄膜與n型氫化非晶硅薄膜的疊層作為第二鈍化層，所述p型氫化非晶硅薄膜與所述基體構(gòu)成異質(zhì)p-n結(jié)，從而形成N型異質(zhì)結(jié)電池；優(yōu)選的，所述本征氫化非晶硅薄膜的厚度為1-10nm；優(yōu)選的，所述p型氫化非晶硅薄膜的厚度為1-15nm。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的制作方法，其特征在于具體包括：采用n型單晶硅片作為所述的基體，在所述基體的第一表面擴(kuò)散或離子注入硼形成同質(zhì)p-n結(jié)，再沉積第一鈍化層，以及在所述基體的第二表面生長(zhǎng)超薄氧化硅膜和n型多晶硅或微晶硅薄膜的疊層，形成鈍化接觸結(jié)構(gòu)作為第二鈍化層，從而形成單面N型TOPCON電池；優(yōu)選的，所述超薄氧化硅膜的厚度為0.1-2nm；優(yōu)選的，所述n型多晶硅或微晶硅薄膜的厚度為5-20nm；優(yōu)選的，對(duì)所述基體第一表面擴(kuò)散或離子注入硼形成的B摻雜層的厚度為0.1-0.4μm；優(yōu)選的，所述第一鈍化層包括疊層設(shè)置的Al₂O₃層和氮化硅層，所述Al₂O₃層和氮化硅層的總厚度為60-90nm。

5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的制作方法，其特征在于具體包括：采用n型單晶硅片作為所述的基體，在所述基體的第一表面生長(zhǎng)超薄氧化硅膜和p型多晶硅或微晶硅薄膜的疊層作為第一鈍化層，在所述基體的第二表面生長(zhǎng)超薄氧化硅膜和n型多晶硅薄膜的疊層作為第二鈍化層，所述p型多晶硅或微晶硅薄膜與所述基體構(gòu)成異質(zhì)p-n結(jié)，從而形成雙面N型TOPCON電池；優(yōu)選的，所述超薄氧化硅膜的厚度為0.1-2nm；優(yōu)選的，所述p型多晶硅或微晶硅薄膜的厚度為5-20nm；優(yōu)選的，所述n型多晶硅薄膜的厚度為5-20nm。

6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的制作方法，其特征在于還包括：在所述鈍化層上形成保護(hù)層；優(yōu)選的，所述保護(hù)層包括TCO層或氮化硅層；更優(yōu)選的，所述TCO層包括ITO薄膜、IWO薄膜、ITIO薄膜中的任意一種。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制作方法，其特征在于：所述基體采用電阻率為0.1-3Ω.cm的N型硅片；和/或，所述切槽的寬度為0.2-10μm，優(yōu)選為0.2-1μm，深度為0.5-50μm，優(yōu)選為0.5-15μm。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制作方法，其特征在于具體包括：采用氫等離子體處理的方式對(duì)所述分片電池邊緣未被所述鈍化層覆蓋的準(zhǔn)中性區(qū)及所述自然氧化層進(jìn)行處理，使氫等離子體滲入所述自然氧化層以及所述準(zhǔn)中性區(qū)的局部；和/或，所述自然氧化層的厚度為1-2nm。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制作方法，其特征在于還包括制作與所述基體連接的太陽(yáng)能電池電極的步驟。

10.由權(quán)利要求1-9中任一項(xiàng)所述方法制作形成的N型分片太陽(yáng)能電池結(jié)構(gòu)。