[發明專利]平面型場效晶體管及其制作方法

在審

• 申請號: 202010165765.6
• 申請日: 2020-03-11
• 公開（公告）號: CN111326588A
• 公開（公告）日: 2020-06-23
• 發明（設計）人: 謝思義;黃進文;李俊峰
• 申請（專利權）人: 四川美闊電子科技有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L21/336;H01L29/06
• 代理公司: 成都行之專利代理事務所(普通合伙) 51220
• 代理人: 李朝虎

1.平面型場效晶體管，包括外延層EPI，所述外延層EPI分為終端區和主動區，其特征在于，終端區內設置有橫向摻雜結構VLD、多晶硅場板Polv、金屬場板Metal；

橫向摻雜結構VLD從外延層EPI的表面朝向外延層EPI的內部生長形成；

多晶硅場板Polv Field Plate從外延層EPI的表面朝向外延層EPI的外部生長形成；

金屬場板Metal Field Plate從外延層EPI的表面朝向外延層EPI的外部生長形成。

2.根據權利要求1所述的平面型場效晶體管，其特征在于，

所述多晶硅場板Polv Field Plate具有多個多晶硅環Polv，相鄰多晶硅環Polv之間存在間隙；

所述金屬場板Metal Field Plate具有多個金屬環Metal，相鄰金屬環Metal之間存在間隙；

金屬環Metal由相鄰多晶硅環Polv之間的間隙處從外延層EPI的表面向外生長、并部分覆蓋與之相鄰的多晶硅環Polv。

3.根據權利要求1所述的平面型場效晶體管，其特征在于，

所述橫向摻雜結構VLD包括多個保護環層GR，多個保護環層GR在外延層EPI中由內向外形成多圈布置，沿外延層EPI由內向外方向、保護環層GR的寬度逐漸變小，相鄰保護環層GR之間具有間隙。

4.根據權利要求1所述的平面型場效晶體管，其特征在于，

所述保護環層GR的數量有8個。

5.根據權利要求1所述的平面型場效晶體管，其特征在于，

所述主動區內設置有P阱層、主動區多晶硅場板、源極Source metal；

所述P阱從外延層EPI的表面朝向外延層EPI的內部生長形成；

主動區多晶硅場板從外延層EPI的表面朝向外延層EPI的外部生長形成；

源極Source metal從外延層EPI的表面朝向外延層EPI的外部生長形成。

6.根據權利要求1所述的平面型場效晶體管，其特征在于，

所述P阱層為環形P阱P-well，環形P阱P-well位于源極Source metal正下方，環形P阱P-well的外圍為橫向摻雜結構VLD。

7.根據權利要求1所述的平面型場效晶體管，其特征在于，

所述主動區多晶硅場板為多晶硅環Polv-I，多晶硅環Polv-I外圍為多晶硅場板PolvField Plate，所述源極Source metal由多晶硅環Polv-I與多晶硅場板Polv Field Plate之間的間隙處從外延層EPI的表面向外生長、并部分覆蓋與之相鄰的多晶硅場板PolvField Plate，源極Source metal完全覆蓋多晶硅環Polv-I。

8.平面型場效晶體管的制造方法，其特征在于，包括以下步驟：

步驟1：在基板上成長所需耐壓厚度的外延層EPI；

步驟2：再氧化成長場氧化層，并蝕刻氧化成長場氧化層定義出主動區及終端區的位置；

步驟3：在主動區進行摻雜離子趨入及活化處理形成P阱層，在終端區進行摻雜離子趨入及活化處理形成保護環層GR；

步驟4：在主動區沉積多晶硅形成多晶硅環Polv-I，在終端區沉積多晶硅形成多晶硅環Polv；

步驟5：使用源極光罩定義并制作源極區域，沉積硼磷硅玻璃，使用接觸區光罩并蝕刻硼磷硅玻璃，定義出源極Source metal；

步驟6：在終端區沉積金屬形成金屬環Metal；

步驟7：沉積氮化硅(Si3N4)做為鈍化層保護，并以鈍化層光罩定義鈍化層范圍。