[發明專利]半導體激光器

有效

• 申請號: 202010165677.6
• 申請日: 2016-09-27
• 公開（公告）號: CN111431030B
• 公開（公告）日: 2023-02-17
• 發明（設計）人: 斯文·格哈德;艾爾弗雷德·萊爾;克萊門斯·菲爾海利希;安德烈亞斯·萊夫勒;克里斯托夫·艾克勒
• 申請（專利權）人: 歐司朗光電半導體有限公司
• 主分類號: H01S5/042
• 分類號: H01S5/042;H01S5/028;H01S5/16;H01S5/323;H01S5/32
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 張春水;丁永凡

1.一種半導體激光器(1)，所述半導體激光器具有：

-半導體層序列(2)，所述半導體層序列包括n型傳導的n型區域(21)、p型傳導的p型區域(23)和位于其之間的用于產生激光輻射的有源區(22)，

-由透明導電氧化物構成的對于所述激光輻射能穿透的p型接觸層(3)，所述p型接觸層用于將電流直接注入到所述p型區域(23)中，和

-導電的且金屬的p型接觸結構(4)，所述p型接觸結構直接處于所述p型接觸層(3)處，

其中

-所述p型接觸層(3)是用于引導所述激光輻射的外罩層的一部分，使得所述激光輻射在所述半導體激光器(1)運行時常規地進入到所述p型接觸層(3)中，

-所述半導體層序列(2)具有兩個棱面(25)，所述棱面形成用于所述激光輻射的諧振器端面，

-在直接在所述棱面(25)中的至少一個棱面處的電流保護區域(5)中，禁止到所述p型區域(23)中的電流注入，

-所述電流保護區域(5)在垂直于所屬的所述棱面(25)的方向上的擴展為至少0.5μm和最高100μm，并且附加地為用于所述激光輻射的諧振器長度的最高20％，

-在所述電流保護區域(5)中，移除所述p型接觸層(3)，并且在所述電流保護區域(5)中，至少一個附加層(63)直接施加在所述p型區域(23)上，

-所述附加層(63)是電絕緣的，并且所述附加層(63)的厚度等于所述p型接觸層(3)的厚度，

-在所述電流保護區域(5)中，所述附加層(63)部分地或完全地由所述p型接觸結構(4)覆蓋，

并且

-所述附加層(63)不僅在所述電流保護區域(5)中、而且也在所屬的所述棱面(25)上施加。

2.根據權利要求1所述的半導體激光器(1)，

其中所述p型接觸層(3)和所述p型接觸結構(4)在平行于所述有源區(22)的方向上與所述棱面(25)中的另一棱面平接。

3.根據權利要求1所述的半導體激光器(1)，

其中在所述電流保護區域(5)中，完全地移除所述p型接觸層(3)和所述p型接觸結構(4)。

4.根據權利要求1所述的半導體激光器(1)，

其中所述附加層(63)具有比所述p型區域(23)更高的比熱導率。

5.根據權利要求1所述的半導體激光器(1)，

其中在所述電流保護區域(5)中，在平行于所述有源區(22)的方向上，所述附加層(63)與所述p型接觸層(3)間隔開。

6.根據權利要求1所述的半導體激光器(1)，

其中所述附加層(63)對于在所述有源區(22)中產生的激光輻射構成為抗反射層或構成為高反射層。

7.根據權利要求1或6所述的半導體激光器(1)，

其中所述附加層(63)在所述棱面(25)處的厚度等于在所述p型區域(23)處、在所述p型接觸層(3)的延長部中的厚度。

8.根據權利要求1或6所述的半導體激光器(1)，

其中在橫截面中觀察L形的附加層(63)的不同的腿部處，所述附加層(63)的厚度彼此不同。

9.根據權利要求1或6所述的半導體激光器(1)，

其中所述棱面(25)僅部分地由所述附加層(63)覆蓋。

10.根據權利要求1或6所述的半導體激光器(1)，

其中所述附加層(63)具有比所述p型區域(23)和比所述p型接觸層(3)更高的比熱導率，

其中所述附加層(63)包括如下材料中的一種或多種：Al₂O₃、SiO₂、TiO₂、Ta₂O₅、HfO₂、Si₃N₄、AlN、SiC、類金剛石的碳。

11.根據權利要求1或6所述的半導體激光器(1)，

其中所述附加層(63)具有對于所述激光輻射而言高低交替的折射率的層的序列。