[發(fā)明專利]一種去除半導(dǎo)體器件制造中的多晶硅殘留的方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010165517.1
• 申請(qǐng)日: 2020-03-11
• 公開（公告）號(hào): CN112289676B
• 公開（公告）日: 2023-06-13
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳定平
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 深圳方正微電子有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/02
• 分類號(hào): H01L21/02
• 代理公司: 深圳中一聯(lián)合知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44414
• 代理人: 黃志云

1.一種去除半導(dǎo)體器件制造中的多晶硅殘留的方法，其特征在于，所述方法包括如下步驟：

提供含有多晶硅殘留的半導(dǎo)體半成品，對(duì)所述半導(dǎo)體半成品進(jìn)行預(yù)刻處理得到第一半導(dǎo)體半成品；其中，所述預(yù)刻處理采用HBr和SF₆的混合氣體作為刻蝕氣體；所述含有多晶硅殘留的半導(dǎo)體半成品的多晶硅的厚度大于6000A；所述HBr和SF₆的混合氣體中，HBr和SF₆的氣體流量比為(8.55～9.45)：(6.65～7.35)；所述預(yù)刻處理的速率為3000～3400A/min；所述預(yù)刻處理的時(shí)間為60～100秒；

對(duì)所述第一半導(dǎo)體半成品進(jìn)行主刻處理得到去除多晶硅殘留的半導(dǎo)體半成品；其中，所述主刻處理采用Cl₂和HBr的混合氣體作為刻蝕氣體；所述Cl₂和HBr的混合氣體中，Cl₂和HBr的氣體流量比為(4.75～5.25)：(3.8～4.2)；所述Cl₂氣體的通氣量為40～50sccm，所述HBr氣體的通氣量為30～40sccm；所述主刻處理的壓力為125～135mT。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的去除半導(dǎo)體器件制造中的多晶硅殘留的方法，其特征在于，對(duì)所述半導(dǎo)體半成品進(jìn)行預(yù)刻處理得到第一半導(dǎo)體半成品的步驟中，所述HBr氣體的通氣量為40～50sccm，所述SF₆氣體的通氣量為30～40sccm。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的去除半導(dǎo)體器件制造中的多晶硅殘留的方法，其特征在于，對(duì)所述半導(dǎo)體半成品進(jìn)行預(yù)刻處理得到第一半導(dǎo)體半成品的步驟中，所述預(yù)刻處理的壓力為50～55mT；和/或，

所述預(yù)刻處理的功率為400～410W；和/或，

所述預(yù)刻處理的磁場(chǎng)強(qiáng)度為10～12G。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的去除半導(dǎo)體器件制造中的多晶硅殘留的方法，其特征在于，對(duì)所述第一半導(dǎo)體半成品進(jìn)行主刻處理得到去除多晶硅殘留的半導(dǎo)體半成品的步驟中，所述主刻處理的功率為440～460W；和/或，

所述主刻處理的磁場(chǎng)強(qiáng)度為30～32G。