[發明專利]一種量子點的合成方法在審

申請號：	202010165261.4	申請日：	2020-03-11
公開（公告）號：	CN111234823A	公開（公告）日：	2020-06-05
發明（設計）人：	羅培棟;周云嬌	申請（專利權）人：	寧波東旭成新材料科技有限公司
主分類號：	C09K11/88	分類號：	C09K11/88;C09K11/02;B82Y20/00;B82Y30/00
代理公司：	慈溪方升專利代理事務所(普通合伙) 33292	代理人：	嚴曉
地址：	315321 浙江省***	國省代碼：	浙江;33
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摘要：
搜索關鍵詞：	一種量子合成方法
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【說明書】：

一種量子點的合成方法：將量子點核心分散于溶劑中形成量子點核心分散系備用，將量子點核心分散系加熱到180?330℃后，使用注射泵將殼前驅體注入到量子點核心分散系中，注入速度為3?15ml/h，且在氮氣保護下進行，在包裹過程中通過針頭取出微量反應溶液用光纖光譜儀監測波長，待監測到的波長達到期望波長后停止滴加殼前驅體，在300?350℃保溫1h?2h后關閉加熱停止反應，其中殼前驅體為二烷基單硫代氨基甲酸鹽溶解于油胺形成。由于烷基單硫代氨基甲酸鹽中硫元素與陽離子的等量配比，二烷基單硫代氨基甲酸鹽的使用減少了硫元素在前驅體中的配比，從而大大減少了反應過程中硫類副產物的產生，避免了普通殼材料過量硫造成的空穴缺陷。

技術領域

本發明涉及一種量子點的合成方法。

背景技術

納米晶體量子點作為新型光學材料，由于量子尺寸效應，具有其獨特的光學應用優越性。例如在高光通量實現光譜純度的應用，以及生物環境中細胞或分子的多重標記或跟蹤。納米晶體量子點的出現為高性能半導體材料的發展提供了發展方向。目前量子點合成已漸漸趨于完善，包殼步驟可以提高量子點核心的穩定性，調整發射波長，降低非輻射躍遷幾率，抑制熒光閃爍提高量子產率。常見硫類前驅體如Zn(DDTC)₂，Cd(DDTC)₂等，在反應過程中不可避免的會產生的硫化氫等小分子等副產物，干擾量子點的合成，損失量子產率，提高生產成本。

常見的殼材料有硫化鎘，硫化鋅，方案成熟，具有良好的性質。因此，亟需尋找新的硫類前驅體，克服現有的殼前驅體存在的缺陷，減少量子點合成過程中副產物產生，提高合成效率，降低合成成本。

發明內容

本發明的主要目的在于提供一種量子包殼的合成方法，以克服現有量子點合成方法中硫類副產物過多的不足。

本發明解決其技術問題的技術方案是：一種量子點的合成方法，其特征在于：

將量子點核心分散于溶劑中形成量子點核心分散系備用，量子點核心分散系中：

所述的量子點核心為CdSe，或ZnSe，或ZnSSe，或CdSSe；

所述的溶劑為月桂基丙烯酸酯，或甲基月桂基丙烯酸酯；

所述量子點核心的濃度為0.01μmol/L-0.1μmol/L；

將量子點核心分散系加熱到180-330℃后，使用注射泵將殼前驅體注入到量子點核心分散系中，注入速度為3-15ml/h，且在氮氣保護下進行，在包裹過程中通過針頭取出微量反應溶液用光纖光譜儀監測波長，待監測到的波長達到期望波長后停止滴加殼前驅體，在300-350℃保溫1h-2h后關閉加熱停止反應；

其中殼前驅體為二烷基單硫代氨基甲酸鹽溶解于油胺形成，二烷基單硫代氨基甲酸鹽的摩爾濃度為0.01mol/L-0.5mol/L。

優選的，二烷基單硫代氨基甲酸鹽的碳鏈長度為2-10。

優選的，二烷基單硫代氨基甲酸鹽為二烷基單硫代氨基甲酸鋅，或二烷基單硫代氨基甲酸鎘。