[發(fā)明專利]場效應晶體管，顯示元件，圖像顯示裝置和系統(tǒng)

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010165033.7
• 申請日: 2020-03-11
• 公開（公告）號: CN111725323A
• 公開（公告）日: 2020-09-29
• 發(fā)明（設計）人: 安部由希子;安藤友一;中村有希;松本真二;曾根雄司;植田尚之;早乙女遼一;新江定憲;草柳嶺秀
• 申請（專利權(quán)）人: 株式會社理光
• 主分類號: H01L29/786
• 分類號: H01L29/786;H01L27/12;H01L27/32;H01L21/34
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 王增強

1.一種場效應晶體管，包括

半導體層，由n型金屬氧化物半導體形成，

其中，n型金屬氧化物半導體包括氧化銦，

其中氧化銦通過引入一種或多種陽離子作為摻雜劑而被n型摻雜，和

其中，在使用二維檢測器的X射線衍射方法中，n型金屬氧化物半導體具有以與具有紅綠柱石結(jié)構(gòu)的氧化銦的(222)面對應的角度檢測到的峰。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的場效應晶體管，

其中，在XAFS測量中在n型金屬氧化物半導體上的摻雜劑的元素的吸收邊緣的峰形狀與該元素的四價、五價、六價、七價或八價元素的峰形狀匹配。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的場效應晶體管，

其中，n型金屬氧化物半導體中的摻雜劑的摩爾比例相對于為n型金屬氧化物半導體中所含的銦的摩爾和摻雜劑的摩爾之和的100％為0.01％至10％。

4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項所述的場效應晶體管，

其中，n型金屬氧化物半導體還包括選自包括Si、Ge、Zr、Hf、Al、Ga、Sc、Y、Ln(鑭系)和堿土金屬中的組中的至少一種。

5.一種顯示元件，包括：

光控制元件，被構(gòu)造為根據(jù)驅(qū)動信號控制光輸出；和

驅(qū)動電路，包括根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項所述的場效應晶體管并且被構(gòu)造為驅(qū)動所述光控制元件。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的顯示元件，

其中，光控制元件包括電致發(fā)光元件、電致變色元件、液晶元件、電泳元件或電潤濕元件。

7.一種被構(gòu)造為顯示與圖像數(shù)據(jù)相對應的圖像的圖像顯示裝置，該圖像顯示裝置包括：

以矩陣形式布置的多個顯示元件，所述多個顯示元件中的每個是根據(jù)權(quán)利要求5或6所述的顯示元件；

多個布線，該多個布線被構(gòu)造為單獨向多個顯示元件中的場效應晶體管施加柵極電壓和信號電壓；和

顯示控制裝置，該顯示控制裝置被構(gòu)造為根據(jù)圖像數(shù)據(jù)經(jīng)由多個布線單獨控制所述場效應晶體管的柵極電壓和信號電壓。

8.一種系統(tǒng)，包括：

根據(jù)權(quán)利要求7所述的圖像顯示裝置；和

圖像數(shù)據(jù)生成裝置，該圖像數(shù)據(jù)生成裝置被構(gòu)造為基于要顯示的圖像信息生成圖像數(shù)據(jù)，并將該圖像數(shù)據(jù)輸出至圖像顯示裝置。