[發明專利]序批式厭氧氨氧化菌培養方法和裝置有效
| 申請號: | 202010164879.9 | 申請日: | 2020-03-11 |
| 公開(公告)號: | CN111269837B | 公開(公告)日: | 2022-04-05 |
| 發明(設計)人: | 孫曉瑩;張軼凡;劉鵬;劉寶玉;李金河;劉玥;郭金芳 | 申請(專利權)人: | 天津創業環保集團股份有限公司;天津凱英科技發展股份有限公司 |
| 主分類號: | C12N1/00 | 分類號: | C12N1/00;C12M1/00;C12M1/34;C12M1/12;C12M1/02;C02F3/28 |
| 代理公司: | 北京超凡宏宇專利代理事務所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人: | 彭星 |
| 地址: | 300381 天津市南*** | 國省代碼: | 天津;12 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 序批式厭氧氨 氧化 培養 方法 裝置 | ||
1.一種序批式厭氧氨氧化菌培養方法,其特征在于,每個培養周期均獨立地依次包括第一進水期、排氧期和第二進水期;
所述第一進水期包括:向沉降有菌體的反應器內加入第一培養基;
所述排氧期包括:使菌體沉積在反應器底部,進行厭氧氨氧化反應至反應器中的溶解氧濃度為0;
所述第二進水期包括:攪拌反應器中的反應體系至菌體與反應底物混合,同時向反應器中補入氨氮濃度和亞硝態氮濃度遞增的培養基;
排氧氣采用攪拌的方式使菌體沉積在反應器底部,攪拌的速度為10~20轉/分鐘。
2.根據權利要求1所述的序批式厭氧氨氧化菌培養方法,其特征在于,第二進水期補入的培養基包括第二培養基、第三培養基和第四培養基;
所述第二培養基中氨氮和亞硝態氮濃度根據系統初始進水總氮負荷經計算確定;
所述第三培養基中氨氮和亞硝態氮的濃度為所述第二培養基的1.5~2.5倍;
所述第四培養基中氨氮和亞硝態氮的濃度為所述第二培養基的2.5~3.5倍;
所述第二培養基持續補入2.5~3.5h;
所述第三培養基持續補入3.5~4.5h;
當每個反應周期結束后,反應器中氨氮或亞硝態氮濃度低于20mg/L時,提高下個周期第三培養基中氨氮和亞硝態氮的濃度均為上一個周期的105%~110%;和,提高下個周期第四培養基中氨氮和亞硝態氮的濃度均為上一個周期的105%~110%;
當每個反應周期結束后,反應器中氨氮或亞硝態氮濃度高于40mg/L時,降低下個周期第三培養基中氨氮和亞硝態氮的濃度均為上一個周期的90%~95%;和,降低下個周期第四培養基中氨氮和亞硝態氮的濃度均為上一個周期的90%~95%。
3.根據權利要求2所述的序批式厭氧氨氧化菌培養方法,其特征在于,所述第二培養基持續補入3h。
4.根據權利要求2所述的序批式厭氧氨氧化菌培養方法,其特征在于,所述第三培養基持續補入4h。
5.根據權利要求1所述的序批式厭氧氨氧化菌培養方法,其特征在于,第一進水期和第二進水期使用的培養基中氨氮由硫酸銨提供,亞硝態氮由亞硝酸鈉提供;
所述第一培養基中硫酸銨的濃度為250~350mg/L,亞硝酸鈉的濃度為350~450 mg/L;
所述第二培養基、第三培養基和第四培養基中硫酸銨和亞硝酸鈉的質量比分別獨立的為1:(1.3~1.4)。
6.根據權利要求5所述的序批式厭氧氨氧化菌培養方法,其特征在于,所述第二培養基、第三培養基和第四培養基中硫酸銨和亞硝酸鈉的質量比分別獨立的為1:1.35。
7.根據權利要求1所述的序批式厭氧氨氧化菌培養方法,其特征在于,排氧氣攪拌的速度為15轉/分鐘;
和/或,第二進水期中菌體攪拌的速度為40~60轉/分鐘。
8.根據權利要求7所述的序批式厭氧氨氧化菌培養方法,其特征在于,第二進水期中菌體攪拌的速度為50轉/分鐘。
9.根據權利要求1-8任一項所述的序批式厭氧氨氧化菌培養方法,其特征在于,反應器中的菌體來源于厭氧氨氧化顆粒污泥。
10.根據權利要求1-8任一項所述的序批式厭氧氨氧化菌培養方法,其特征在于,每個培養周期均獨立地依次包括沉淀期、排水期、第一進水期、排氧期、第二進水期和后反應期。
11.根據權利要求1-8任一項所述的序批式厭氧氨氧化菌培養方法,其特征在于,反應器內溫度為35±0.3℃,pH為7.2-8.5。
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