[發(fā)明專利]一種AlGaAs外延層光照氧化方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010164122.X | 申請日： | 2020-03-11 |
| 公開（公告）號： | CN111029904B | 公開（公告）日： | 2020-07-03 |
| 發(fā)明（設計）人： | 李善文;李輝杰;顏虎 | 申請（專利權）人： | 常州縱慧芯光半導體科技有限公司 |
| 主分類號： | H01S5/183 | 分類號： | H01S5/183;G01N21/25 |
| 代理公司： | 北京中知法苑知識產(chǎn)權代理有限公司 11226 | 代理人： | 劉敦楓 |
| 地址： | 213164 江蘇省常州市武進*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 algaas 外延 光照 氧化 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種AlGaAs外延層光照氧化方法，其特征在于，包括：
步驟S01：采用GaAs襯底生長AlGaAs外延層；
步驟S02：在所述AlGaAs外延層上生長透射外延層，所述透射外延層為采用單層可透射波長小于800nm的無Al外延層或采用不同折射率無Al外延層配對組成的透射DBR，刻蝕所述透射外延層和所述AlGaAs外延層形成溝道，在常溫空氣環(huán)境下，采用光照裝置照射所述溝道；所述光照裝置為采用波長涵蓋紅外至紫外光的發(fā)光器件，紅外光部分用于催化氧化反應，紫外光部分用于氧分子分解為氧原子；
步驟S03：記錄所述AlGaAs外延層由第一折射率變化為第二折射率的氧化時間，觀測確認被氧化的區(qū)域的氧化寬度并計算氧化速率，通過所述光照裝置照射所述溝道以加速其氧化。
2.根據(jù)權利要求1所述的AlGaAs外延層光照氧化方法，其特征在于，所述溝道貫穿于所述透射外延層和所述AlGaAs外延層，并與所述GaAs襯底接觸。
3.根據(jù)權利要求1所述的AlGaAs外延層光照氧化方法，其特征在于，所述氧化速率的計算方式為：氧化速率=氧化寬度/氧化時間。
下載完整專利技術內(nèi)容需要扣除積分，VIP會員可以免費下載。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于常州縱慧芯光半導體科技有限公司，未經(jīng)常州縱慧芯光半導體科技有限公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權和技術合作，請聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/202010164122.X/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
