[發(fā)明專利]散熱集成半導(dǎo)體晶體管及其制備方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010163797.2 | 申請日： | 2020-03-10 |
| 公開（公告）號： | CN111430242B | 公開（公告）日： | 2022-07-12 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 劉杰;谷昊周;程知群;劉艷;董志華;嚴(yán)麗平;周濤;劉國華;李世琦 | 申請（專利權(quán)）人： | 杭州電子科技大學(xué) |
| 主分類號： | H01L21/336 | 分類號： | H01L21/336;H01L29/78;H01L23/373;H01L23/367 |
| 代理公司： | 北京德崇智捷知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11467 | 代理人： | 王欣 |
| 地址： | 310018 浙江省*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 散熱 集成 半導(dǎo)體 晶體管 及其 制備 方法 | ||
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的散熱集成半導(dǎo)體晶體管的制備方法，其特征在于，所述半導(dǎo)體晶體管的表面包括正面和背面，則具體包括步驟：
步驟S00，在半導(dǎo)體襯底的正面沉積電極層，形成半導(dǎo)體晶體管；
步驟S10，對半導(dǎo)體晶體管的背面進(jìn)行預(yù)處理，以增加半導(dǎo)體晶體管背面的形核密度；
步驟S20，在半導(dǎo)體晶體管的背面沉積納米級金剛石層；
步驟S30，對半導(dǎo)體晶體管的正面進(jìn)行預(yù)處理，以增加半導(dǎo)體晶體管正面的形核密度；
步驟S40，在半導(dǎo)體晶體管的正面沉積納米級金剛石層，其中納米級金剛石層覆蓋電極層；
步驟S50，在半導(dǎo)體晶體管背面的納米級金剛石層表面沉積微米級金剛石層；
步驟S60，在半導(dǎo)體晶體管正面的納米級金剛石層表面沉積微米級金剛石層；
步驟S70，對半導(dǎo)體晶體管正面的微米級金剛石層和納米級金剛石層進(jìn)行光刻，露出電極，形成散熱集成半導(dǎo)體晶體管，
其中，半導(dǎo)體晶體管的正面與半導(dǎo)體襯底的正面相對，半導(dǎo)體晶體管的背面與半導(dǎo)體襯底的正面相背。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的散熱集成半導(dǎo)體晶體管的制備方法，其特征在于，步驟S00之后且步驟S10之前還包括步驟：
對半導(dǎo)體晶體管的背面中部進(jìn)行減薄拋光，使垂直于半導(dǎo)體晶體管的溝道的延伸方向，半導(dǎo)體襯底中部的厚度小于兩側(cè)的厚度。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的散熱集成半導(dǎo)體晶體管的制備方法，其特征在于，半導(dǎo)體晶體管背面各位置的納米級金剛石層的厚度一致，半導(dǎo)體晶體管背面各位置的微米級金剛石層的外表面平齊。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的散熱集成半導(dǎo)體晶體管的制備方法，其特征在于，步驟S50之后且步驟S60之前還包括步驟：
對半導(dǎo)體晶體管背面的微米級金剛石層進(jìn)行研磨處理；
對半導(dǎo)體晶體管正面的納米級金剛石層進(jìn)行研磨處理，并采用金剛石粉體進(jìn)行超聲處理。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的散熱集成半導(dǎo)體晶體管的制備方法，其特征在于，步驟S60之后且步驟S70之前還包括步驟：
對半導(dǎo)體晶體管正面的微米級金剛石層進(jìn)行研磨拋光。
7.根據(jù)權(quán)利要求1-6中任一項(xiàng)所述的散熱集成半導(dǎo)體晶體管的制備方法，其特征在于，對半導(dǎo)體晶體管的表面進(jìn)行預(yù)處理，具體包括步驟：
對半導(dǎo)體晶體管的表面進(jìn)行研磨拋光；
采用金剛石粉體，在酒精溶液中對半導(dǎo)體晶體管的表面進(jìn)行超聲處理。
8.根據(jù)權(quán)利要求1-6中任一項(xiàng)所述的散熱集成半導(dǎo)體晶體管的制備方法，其特征在于，沉積微米級金剛石層時(shí)的溫度大于沉積納米級金剛石層時(shí)的溫度；而沉積微米級金剛石層時(shí)的壓力小于沉積納米級金剛石層時(shí)的壓力。
9.一種散熱集成半導(dǎo)體晶體管，其特征在于，包括：
半導(dǎo)體晶體管，包括半導(dǎo)體襯底和設(shè)置于半導(dǎo)體襯底正面的電極層；
納米級金剛石層和微米級金剛石層，所述納米級金剛石層和所述微米級金剛石層均依次向外沉積于所述半導(dǎo)體晶體管的正面和背面，且所述電極層裸露于所述微米級金剛石層。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的散熱集成半導(dǎo)體晶體管，其特征在于，垂直于所述半導(dǎo)體晶體管的溝道的延伸方向，所述半導(dǎo)體襯底中部的厚度小于兩側(cè)的厚度。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
