[發(fā)明專利]一種具有微納米級(jí)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的導(dǎo)電神經(jīng)修復(fù)材料及其制備方法與應(yīng)用

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010163431.5
• 申請(qǐng)日: 2020-03-10
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN111269447B
• 公開(kāi)（公告）日: 2021-03-30
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 高會(huì)場(chǎng);衛(wèi)應(yīng)奇
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 華南理工大學(xué)
• 主分類號(hào): C08J5/18
• 分類號(hào): C08J5/18;C08L67/04;C08L65/00;A61L27/48;A61L27/50
• 代理公司: 廣州粵高專利商標(biāo)代理有限公司 44102
• 代理人: 何淑珍;馮振寧

1.一種具有微納米級(jí)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的導(dǎo)電神經(jīng)修復(fù)材料的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

（1）采用CAD軟件繪制微納米級(jí)結(jié)構(gòu)的俯視圖，制成掩膜版，用掩膜版通過(guò)光刻技術(shù)在硅片上形成微納米級(jí)結(jié)構(gòu)，然后在硅片上澆注PDMS預(yù)聚物與固化劑，交聯(lián)固化后得到帶有微納米級(jí)結(jié)構(gòu)的PMDS印章；

（2）將PLGA置于有機(jī)溶劑中至PLGA溶解，并攪拌均勻；

（3）向步驟（2）所得的PLGA溶液中加入無(wú)水乙醇分散的PEDOT溶液，繼續(xù)攪拌，使PEDOT均勻分散在PLGA溶液中；所述PEDOT為納米級(jí)顆粒；所述PEDOT與PLGA的質(zhì)量比為1%-10%；

（4）將步驟（3）中所得復(fù)合溶液的溶劑揮發(fā)獲得均勻分散的PLGA/PEDOT復(fù)合材料；

（5）將步驟（4）中所得PLGA/PEDOT復(fù)合材料均勻鋪展在步驟（1）所得的帶有微納米級(jí)結(jié)構(gòu)的PMDS印章上，置于真空干燥箱內(nèi)，抽真空并加熱處理進(jìn)行熔融鑄膜，待冷卻后，將具有微納米級(jí)結(jié)構(gòu)的PLGA/PEDOT復(fù)合薄膜從PDMS印章上剝離，即可得到一種具有微納米級(jí)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的導(dǎo)電神經(jīng)修復(fù)材料。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，步驟（1）所述PMDS印章上的圖案為溝槽圖案或點(diǎn)陣圖案。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的制備方法，其特征在于，步驟（1）所述PMDS印章上的圖案為溝槽圖案。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，步驟（2）中所述有機(jī)溶劑為二氯甲烷，所述二氯甲烷的體積與PLGA的質(zhì)量之比為0.15mL/g-5.0mL/g。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，步驟（2）中所述攪拌的速率為100-300r/min。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，步驟（5）中PLGA/PEDOT復(fù)合材料加熱熔融鑄膜的溫度為100-300℃。

7.由權(quán)利要求1-6任一項(xiàng)所述的制備方法制得的一種具有微納米級(jí)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的導(dǎo)電神經(jīng)修復(fù)材料。

8.權(quán)利要求7所述的一種具有微納米級(jí)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的導(dǎo)電神經(jīng)修復(fù)材料應(yīng)用于制備外周神經(jīng)組織工程支架。