[發明專利]一種LDO穩壓電路

有效

• 申請號: 202010162004.5
• 申請日: 2020-03-10
• 公開（公告）號: CN111414037B
• 公開（公告）日: 2022-01-25
• 發明（設計）人: 魯緯;段志奎;于昕梅;蔣業文;阮錦標;陳嘉維
• 申請（專利權）人: 佛山科學技術學院
• 主分類號: G05F3/26
• 分類號: G05F3/26
• 代理公司: 廣州嘉權專利商標事務所有限公司 44205
• 代理人: 蔡偉杰

1.一種LDO穩壓電路，其特征在于，包括：基準電壓端Vref、第一偏置電壓端Vb1、第二偏置電壓端Vb2、第三偏置電壓端Vb3、輸入電壓端VDD、輸出電壓端Vout、控制電路、反饋電路、接地端GND和功率管MP；

所述控制電路包括：晶體管M1、晶體管M2、晶體管M3、晶體管M4、晶體管M5、晶體管M6、晶體管M7、晶體管M8、晶體管M9、晶體管M10、晶體管M11、晶體管M12和誤差放大器EA，所述反饋電路包括：晶體管M13和晶體管M14；

所述誤差放大器EA的負端與所述基準電壓端Vref連接，所述誤差放大器EA的正端分別與晶體管M8的柵極、晶體管M13的源極、晶體管M14的漏極連接，所述誤差放大器EA的輸出端分別與晶體管M1的柵極、晶體管M4的柵極、晶體管M4的漏極、晶體管M3的漏極、晶體管M9的柵極、晶體管M9的漏極、晶體管M10的漏極、功率管MP的柵極連接，所述晶體管M1的漏極分別與晶體管M2的柵極、晶體管M2的漏極、晶體管M5的柵極、晶體管M7的柵極連接，所述晶體管M5的漏極與晶體管M4的源極連接，所述晶體管M7的漏極與晶體管M6的漏極連接，所述晶體管M7的源極分別與晶體管M10的柵極、晶體管M8的漏極連接，所述晶體管M10的源極分別與晶體管M11漏極、晶體管M12的漏極連接，所述晶體管M11的源極分別與功率管MP的漏極、晶體管M13的漏極、晶體管M13的柵極、晶體管M14的柵極、輸出電壓端Vout連接，所述晶體管M3的柵極分別與第一偏置電壓端Vb1、晶體管M6的柵極、晶體管M9的柵極連接，所述晶體管M11的柵極與第二偏置電壓端Vb2連接，所述晶體管M12的柵極與第三偏置電壓端Vb3連接，所述晶體管M2的源極、晶體管M5的源極、晶體管M8的源極、晶體管M12的源極、晶體管M14的源極分別與接地端GND連接，所述晶體管M1的源極、晶體管M3的源極、晶體管M6的源極、晶體管M9的源極、功率管MP的源極分別與輸入電壓端VDD連接。

2.根據權利要求1所述的一種LDO穩壓電路，其特征在于：所述晶體管M1、晶體管M3、晶體管M6、晶體管M9和晶體管M11均為PMOS管，所述晶體管M2、晶體管M4、晶體管M5、晶體管M8、晶體管M10、晶體管M12、晶體管M13和晶體管M14均為NMOS管。

3.根據權利要求1所述的一種LDO穩壓電路，其特征在于：所述功率管MP為PMOS管。

4.根據權利要求1所述的一種LDO穩壓電路，其特征在于，還包括負載電路，所述負載電路包括：負載電容CL和負載電阻RL，所述負載電阻RL和負載電容CL的上端均與輸出電壓端Vout連接，所述負載電阻RL和負載電容CL的下端均與接地端GND連接。