[發明專利]植入式陶瓷饋通連接器及其制造方法

在審

• 申請號: 202010161903.3
• 申請日: 2020-03-10
• 公開（公告）號: CN111355209A
• 公開（公告）日: 2020-06-30
• 發明（設計）人: 于凱凱;陳英;孫向明
• 申請（專利權）人: 摩科斯新材料科技（蘇州）有限公司
• 主分類號: H02G15/013
• 分類號: H02G15/013;H02G15/10;A61N1/05;A61N1/02;A61N1/372;H01R4/64
• 代理公司: 蘇州中合知識產權代理事務所(普通合伙) 32266
• 代理人: 趙曉芳

1.植入式陶瓷饋通連接器，其特征在于：包括有金屬法蘭、絕緣體、信號傳輸導線、接地導線和封接體，金屬法蘭套設于絕緣體外部，絕緣體上開設有與信號傳輸導線一一對應的通孔，信號傳輸導線穿設于通孔內，上端用于連接植入體內部的信號輸出端、下端用于連接外部的延長導線，金屬法蘭環壁內側上端形成有與接地導線形狀相配合用于設置接地導線的導孔，并且接地導線與金屬法蘭之間、信號傳輸導線與絕緣體之間以及絕緣體與金屬法蘭之間通過封接體連接密封。

2.如權利要求1所述的植入式陶瓷饋通連接器，其特征在于：所述導孔深度大于3mm，導孔內壁與接地導線之間的間隙介于25-38μm之間。

3.如權利要求1所述的植入式陶瓷饋通連接器，其特征在于：所述絕緣體上表面高于金屬法蘭上表面設置，絕緣體上表面和金屬法蘭上表面的高度差為0.1-0.25mm。

4.如權利要求1所述的植入式陶瓷饋通連接器，其特征在于：所述絕緣體上的通孔為柱形孔，柱形孔內壁與信號傳輸導線之間間隙介于25-38μm之間。

5.如權利要求4所述的植入式陶瓷饋通連接器，其特征在于：所述絕緣體的柱形孔上部形成與柱形孔同心的沉頭孔，用于設置連接密封絕緣體與對應信號傳輸導線的封接體；所述金屬法蘭的內孔上部形成與其內孔同心的沉頭孔，用于設置連接密封絕緣體與金屬法蘭的封接體。

6.如權利要求4所述的植入式陶瓷饋通連接器，其特征在于：所述絕緣體橫截面為圓形或圓角矩形，各柱形孔的圓心按照等邊三角形或圓形進行排布。

7.如權利要求1所述的植入式陶瓷饋通連接器，其特征在于：所述絕緣體與信號傳輸導線、金屬法蘭、接地導線之間和封接體接觸的表面沉積生物相容的復合金屬鍍層，且絕緣體的外壁在沉積金屬鍍層時上部預留0.1-0.2mm的空間。

8.如權利要求1所述的植入式陶瓷饋通連接器，其特征在于：所述金屬法蘭底部向外側凸出形成有用于固定金屬法蘭位置的定位凸沿。

9.如權利要求1所述的植入式陶瓷饋通連接器，其特征在于：所述信號傳輸導線及接地導線為圓柱形，直徑介于0.1-0.5mm之間。

10.一種如權利要求1至9任一所述的植入式陶瓷饋通連接器的制造方法，其特征在于：依次包括如下步驟：

①將信號傳輸導線、接地導線、金屬法蘭、絕緣體和封接體在脫脂機中蒸汽清洗10-15min，然后在烘箱中烘干；

②將信號傳輸導線、接地導線、金屬法蘭、絕緣體和封接體按照各自位置進行裝配，同時使用夾具固定信號傳輸導線、接地導線和金屬法蘭之間的位置；

③將裝配好的陶瓷饋通連接器放到真空釬焊爐中，加熱到1100-1200℃，保溫10-20min，真空度優于1*10^-3Pa，待封接體熔化并填充滿絕緣體、信號傳輸導線、接地導線和金屬法蘭之間的空隙后降至室溫；

④將冷卻到室溫的陶瓷饋通連接器超聲清洗10-20min，然后在烘箱中烘干。