[發(fā)明專利]三維存儲器制造方法及三維存儲器

有效

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• 申請日: 2020-03-10
• 公開（公告）號: CN111326522B
• 公開（公告）日: 2021-11-05
• 發(fā)明（設計）人: 吳林春;楊永剛;周文犀
• 申請（專利權）人: 長江存儲科技有限責任公司
• 主分類號: H01L27/11563
• 分類號: H01L27/11563;H01L27/11565;H01L27/11578;H01L21/308
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產(chǎn)權代理有限公司 11205
• 代理人: 王一童;臧建明

1.一種三維存儲器制造方法，其特征在于，包括：

形成半導體結構，所述半導體結構包括依次堆疊設置的第一基底、犧牲層以及堆棧結構；所述堆棧結構包括交替設置的絕緣層和過渡層；且各所述過渡層中、靠近所述犧牲層的多個所述過渡層為由阻擋材料構成的刻蝕停止層；且所述堆棧結構中設置有底部位于所述刻蝕停止層的第一結構孔；

去除位于所述第一結構孔底部的所述刻蝕停止層，并暴露位于所述刻蝕停止層底部的所述絕緣層；

將所述第一結構孔底部進一步延伸至所述犧牲層中；

去除所述犧牲層，以形成犧牲間隙；

在所述犧牲間隙中形成第二基底，且所述第一結構孔的底部位于所述第二基底中；

在所述第一結構孔中形成公共源極觸點。

2.根據(jù)權利要求1所述的三維存儲器制造方法，其特征在于，所述形成半導體結構的步驟包括：

在所述第一基底上形成所述犧牲層；

在所述犧牲層上交替堆疊絕緣層和過渡層，以形成所述堆棧結構；

在所述堆棧結構中形成底部位于所述刻蝕停止層的所述第一結構孔。

3.根據(jù)權利要求2所述的三維存儲器制造方法，其特征在于，所述在所述犧牲層上交替堆疊絕緣層和過渡層的步驟包括：

在所述犧牲層上形成絕緣層；

在所述絕緣層上形成所述刻蝕停止層；

在所述刻蝕停止層上進一步交替堆疊形成其余的所述絕緣層和所述過渡層。

4.根據(jù)權利要求2所述的三維存儲器制造方法，其特征在于，

所述在所述堆棧結構中形成底部位于所述刻蝕停止層的所述第一結構孔的步驟之前，還包括：

在所述堆棧結構中形成溝道結構，所述溝道結構貫穿所述堆棧結構并延伸至所述第一基底中；

且所述去除所述犧牲層的步驟具體包括：去除所述犧牲層以及位于所述犧牲層中的部分溝道結構，以形成所述犧牲間隙。

5.根據(jù)權利要求4所述的三維存儲器制造方法，其特征在于，所述在所述堆棧結構中形成溝道結構的步驟包括：

在所述堆棧結構中形成溝道孔，所述溝道孔貫穿所述堆棧結構及所述犧牲層，并沿延伸至所述第一基底中；

在所述溝道孔內(nèi)依次堆疊形成功能層及溝道層。

6.根據(jù)權利要求5所述的三維存儲器制造方法，其特征在于，所述在所述半導體結構中形成溝道孔的步驟包括：

在所述堆棧結構上形成第二結構孔，所述第二結構孔孔底停止于所述刻蝕停止層中；

去除位于所述第二結構孔底部的所述刻蝕停止層，并暴露位于所述刻蝕停止層底部的所述絕緣層；

將所述第二結構孔底部進一步延伸至所述第一基底中，以形成所述溝道孔。

7.根據(jù)權利要求5所述的三維存儲器制造方法，其特征在于，所述在所述溝道孔內(nèi)依次堆疊形成功能層及溝道層的步驟包括：

在所述溝道孔內(nèi)依次堆疊形成阻隔層、存儲層和隧穿絕緣層；

在所述隧穿絕緣層上堆疊形成所述溝道層。

8.根據(jù)權利要求2-7任一項所述的三維存儲器制造方法，其特征在于，

所述在所述堆棧結構中形成底部位于所述刻蝕停止層的所述第一結構孔的步驟包括：

刻蝕去除所述刻蝕停止層頂部的絕緣層和過渡層，以將所述第一結構孔的孔底停止于所述刻蝕停止層；其中，構成所述絕緣層的材料、以及構成除所述刻蝕停止層外的其余所述過渡層的材料均相對于所述阻擋材料具有高刻蝕選擇比。

9.根據(jù)權利要求1-7任一項所述的三維存儲器制造方法，其特征在于，

所述去除位于所述第一結構孔底部的所述刻蝕停止層的步驟包括：

采用濕法刻蝕去除位于所述第一結構孔底部的所述刻蝕停止層。