[發(fā)明專利]一種小孔內(nèi)壁薄膜沉積方法及裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010161540.3
• 申請(qǐng)日: 2020-03-10
• 公開（公告）號(hào): CN111235539B
• 公開（公告）日: 2021-04-20
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳英;孫向明;于凱凱
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 摩科斯新材料科技（蘇州）有限公司
• 主分類號(hào): C23C14/35
• 分類號(hào): C23C14/35;C23C14/54
• 代理公司: 南京樂羽知行專利代理事務(wù)所(普通合伙) 32326
• 代理人: 繆友建

1.一種小孔內(nèi)壁薄膜沉積方法，其特征在于：將靶材傾斜設(shè)置在待濺射材料的上方，以使靶材離子以設(shè)定角度射向待濺射材料的小孔內(nèi)壁上，所述靶材為圓柱形靶材，且靶材的直徑為100-200mm；所述靶材的與豎直面的夾角介于45-60°之間；在濺射過程中，同時(shí)控制待濺射材料勻速轉(zhuǎn)動(dòng)，以實(shí)現(xiàn)靶材離子在小孔內(nèi)壁上的均勻沉積，控制待濺射材料同時(shí)公轉(zhuǎn)和逆向自轉(zhuǎn)；所述小孔的直徑介于0.2mm-100mm之間，所述小孔的深徑比6-7。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的小孔內(nèi)壁薄膜沉積方法，其特征在于：在濺射過程中，同時(shí)對(duì)待濺射材料施加負(fù)偏壓，以控制靶材離子的運(yùn)動(dòng)軌跡。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的小孔內(nèi)壁薄膜沉積方法，其特征在于：控制濺射過程中的濺射功率為150-250W，濺射時(shí)間為1-2h，氬分壓為3-5Pa。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的小孔內(nèi)壁薄膜沉積方法，其特征在于：在濺射前對(duì)待濺射材料先進(jìn)行射頻清洗，射頻清洗功率為100W，時(shí)間為3-5min。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的小孔內(nèi)壁薄膜沉積方法，其特征在于：小孔內(nèi)壁薄膜沉積裝置包括：

旋轉(zhuǎn)托盤，通過驅(qū)動(dòng)件驅(qū)動(dòng)勻速轉(zhuǎn)動(dòng)；

冷卻水套，設(shè)置在旋轉(zhuǎn)托盤上方，用于固定和冷卻靶材；

外接電極，與所述冷卻水套連接；

濺射腔體，容置所述旋轉(zhuǎn)托盤和冷卻水套，用于提供濺射所需的氣氛環(huán)境。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的小孔內(nèi)壁薄膜沉積方法，其特征在于：所述旋轉(zhuǎn)托盤上還嵌設(shè)有若干個(gè)用于放置待濺射材料的分體旋轉(zhuǎn)盤，所述分體旋轉(zhuǎn)盤可單獨(dú)旋轉(zhuǎn)，以使旋轉(zhuǎn)托盤轉(zhuǎn)動(dòng)時(shí)待濺射材料同時(shí)逆向自轉(zhuǎn)。