[發(fā)明專利]多層布線基板在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010161392.5 | 申請日: | 2020-03-10 |
| 公開(公告)號(hào): | CN111683471A | 公開(公告)日: | 2020-09-18 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 近藤將夫;小屋茂樹;佐佐木健次 | 申請(專利權(quán))人: | 株式會(huì)社村田制作所 |
| 主分類號(hào): | H05K3/46 | 分類號(hào): | H05K3/46;H05K1/14;H05K1/02 |
| 代理公司: | 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227 | 代理人: | 王瑋;張豐橋 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 多層 布線 | ||
1.一種多層布線基板,其將配置有導(dǎo)體圖案的導(dǎo)體層和絕緣層交替地層疊,在上表面安裝半導(dǎo)體元件,其中,
該多層布線基板具有:
保護(hù)膜,其覆蓋最上方的第1導(dǎo)體層的導(dǎo)體圖案,設(shè)置有使所述第1導(dǎo)體層的導(dǎo)體圖案的局部暴露的在一個(gè)方向上較長的至少一個(gè)開口;
至少一個(gè)第1通路導(dǎo)體,其從所述第1導(dǎo)體層的導(dǎo)體圖案向下方延伸,至少到達(dá)第2層的第2導(dǎo)體層的導(dǎo)體圖案;以及
多個(gè)第2通路導(dǎo)體,其從所述第2導(dǎo)體層或者第3層的第3導(dǎo)體層的導(dǎo)體圖案向下方延伸,到達(dá)至少向下1層的導(dǎo)體層的導(dǎo)體圖案,
在將所述開口的長度方向定義為第1方向時(shí),或者將與長度方向正交且與所述多層布線基板的上表面平行的方向的一方定義為第1方向時(shí),
在俯視時(shí),
所述第1通路導(dǎo)體與所述開口局部重疊,
所述多個(gè)第2通路導(dǎo)體中的至少2個(gè)第2通路導(dǎo)體,在沿所述第1方向上隔著所述開口的位置,與所述開口分離地配置,
在沿所述第1方向隔著所述開口的所述多個(gè)第2通路導(dǎo)體中,配置在從所述開口一側(cè)的至少一個(gè)第2通路導(dǎo)體到所述開口為止的最窄的間隔即第1最小間隔與從配置在所述開口另一側(cè)的至少一個(gè)第2通路導(dǎo)體到所述開口為止的最窄的間隔即第2最小間隔之差,小于從所述多個(gè)第2通路導(dǎo)體到所述開口為止的最窄的間隔即綜合最小間隔。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多層布線基板,其中,
在俯視時(shí),所述第1導(dǎo)體層的在所述開口的內(nèi)部暴露的導(dǎo)體圖案,為與半導(dǎo)體元件的凸塊連接的焊盤。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的多層布線基板,其中,
所述第1方向與所述開口的長度方向正交。
4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的多層布線基板,其中,
在俯視時(shí),所述多個(gè)第2通路導(dǎo)體中的至少2個(gè)第2通路導(dǎo)體,分別在沿與所述第1方向正交的第2方向隔著所述開口的位置,與所述開口分離地配置,
在沿所述第2方向隔著所述開口的位置配置的第2通路導(dǎo)體中從配置在所述開口一側(cè)的至少一個(gè)第2通路導(dǎo)體到所述開口為止的最窄的間隔即第3最小間隔和從配置在所述開口的另一側(cè)的至少一個(gè)第2通路導(dǎo)體到所述開口為止的最窄的間隔即第4最小間隔,以及所述第1最小間隔、所述第2最小間隔中,最大值與最小值之差,小于所述綜合最小間隔。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的多層布線基板,其中,
在俯視時(shí),將所述第1方向定義為左右方向、將所述第2方向定義為上下方向時(shí),所述多個(gè)第2通路導(dǎo)體中的至少4個(gè)第2通路導(dǎo)體分別配置在所述開口的右斜上、右斜下、左斜上以及左斜下,
從分別配置在所述開口的右斜上、右斜下、左斜上以及左斜下的第2通路導(dǎo)體到所述開口為止的4個(gè)傾斜方向的間隔中的最大值與最小值之差小于所述4個(gè)傾斜方向的間隔的最小值。
6.根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一項(xiàng)所述的多層布線基板,其中,
所述多個(gè)第2通路導(dǎo)體的平面配置具有以與所述第1方向正交的直線為對稱軸的線對稱性。
7.根據(jù)權(quán)利要求1至6中任一項(xiàng)所述的多層布線基板,其中,
所述第1通路導(dǎo)體與所述多個(gè)第2通路導(dǎo)體在所述第2導(dǎo)體層和所述第3導(dǎo)體層中至少一個(gè)導(dǎo)體層內(nèi)相互電連接。
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