[發(fā)明專利]發(fā)光裝置及其制造方法

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• 申請日: 2020-03-10
• 公開（公告）號: CN111799292A
• 公開（公告）日: 2020-10-20
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳嘉源;蔡宗翰;李冠鋒;吳湲琳
• 申請（專利權(quán)）人: 群創(chuàng)光電股份有限公司
• 主分類號: H01L27/15
• 分類號: H01L27/15;H01L27/32
• 代理公司: 上海專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 31100
• 代理人: 駱希聰

1.一種發(fā)光裝置，包括：

一第一基板；

一第二基板，包括一遮光結(jié)構(gòu)；以及

一第一發(fā)光模塊以及一第二發(fā)光模塊，其彼此相鄰且設(shè)置于該第一基板以及該第二基板之間；

其中該第一發(fā)光模塊及該第二發(fā)光模塊以一間隙分隔，且該遮光結(jié)構(gòu)在該發(fā)光裝置的俯視方向上至少部分地覆蓋該間隙。

2.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置，其特征在于，該遮光結(jié)構(gòu)為網(wǎng)格圖案、線狀圖案或島狀圖案中的其中一種。

3.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置，其特征在于，該第一發(fā)光模塊及該第二發(fā)光模塊之間的距離大于0且小于或等于5毫米。

4.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置，其特征在于，該第一基板包括一第一電路層，且該第一發(fā)光模塊與該第二發(fā)光模塊透過該第一電路層電性連接。

5.如權(quán)利要求4所述的發(fā)光裝置，其特征在于，該第二基板包括一第二電路層，且該第一發(fā)光模塊與該第二發(fā)光模塊透過第二電路層電性連接。

6.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置，更包括設(shè)置于該第一發(fā)光模塊及該第二發(fā)光模塊之間的一光學(xué)傳感器，且該光學(xué)傳感器在該發(fā)光裝置的俯視方向上至少部分地覆蓋該間隙。

7.如權(quán)利要求6所述的發(fā)光裝置，其特征在于，該光學(xué)傳感器與該遮光結(jié)構(gòu)互相重疊。

8.如權(quán)利要求6所述的發(fā)光裝置，其特征在于，該光學(xué)傳感器包括一PIN(P-intrinsic-N)二極管或一薄膜晶體管。

9.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置，其特征在于，該遮光結(jié)構(gòu)具有一主要部分及一突出部分。

10.如權(quán)利要求9所述的發(fā)光裝置，其特征在于，該第一發(fā)光模塊包括一第一固定層，且該突出部分的高度大于該第一固定層的高度。

11.如權(quán)利要求9所述的發(fā)光裝置，其特征在于，該第一發(fā)光模塊包括一第一固定層，且該突出部分的高度小于或等于該第一固定層的高度。

12.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置，更包括：

一支撐膜，

其中該第一基板設(shè)置于該第二基板及該支撐膜之間，且該支撐膜在該發(fā)光裝置的俯視方向上與該間隙不重疊。

13.一種發(fā)光裝置，包括：

一第一基板；

一第一發(fā)光模塊以及一第二發(fā)光模塊，其彼此相鄰且設(shè)置于該第一基板上；以及

一遮光結(jié)構(gòu)設(shè)置于該第一發(fā)光模塊及該第二發(fā)光模塊上；

其中該第一發(fā)光模塊及該第二發(fā)光模塊以一間隙分隔，且該遮光結(jié)構(gòu)在該發(fā)光裝置的俯視方向上至少部分地覆蓋該間隙。

14.如權(quán)利要求13所述的發(fā)光裝置，其特征在于，該遮光結(jié)構(gòu)為網(wǎng)格圖案、線狀圖案或島狀圖案中的其中一種。

15.如權(quán)利要求13所述的發(fā)光裝置，其特征在于，該第一發(fā)光模塊及該第二發(fā)光模塊之間的距離大于0且小于或等于5毫米。

16.如權(quán)利要求13所述的發(fā)光裝置，其特征在于，該第一基板包括一第一電路層，且該第一發(fā)光模塊與該第二發(fā)光模塊透過該第一電路層電性連接。

17.如權(quán)利要求13所述的發(fā)光裝置，其特征在于，該第一發(fā)光模塊包括一第一固定層，該遮光結(jié)構(gòu)包括一突出部分，且該突出部分的高度小于或等于該第一固定層的高度。