[發明專利]襯底貼片重構選項

在審

• 申請號: 202010161090.8
• 申請日: 2020-03-10
• 公開（公告）號: CN111696978A
• 公開（公告）日: 2020-09-22
• 發明（設計）人: H·哈里里;A·P·阿盧爾;任緯倫;I·A·薩拉馬
• 申請（專利權）人: 英特爾公司
• 主分類號: H01L25/18
• 分類號: H01L25/18;H01L23/31;H01L23/488
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司 72002
• 代理人: 鄔少俊

1.一種封裝襯底，包括：

中介層上的第一貼片和第二貼片；

所述第一貼片中的第一襯底和所述第二貼片中的第二襯底；

所述第一貼片和所述第二貼片之上和周圍的包封層；

所述第一貼片、所述第二貼片和所述包封層上的多個堆積層；以及

所述多個堆積層上的多個管芯和電橋，其中，所述電橋與所述第一貼片的所述第一襯底和所述第二貼片的所述第二襯底通信地耦合。

2.根據權利要求1所述的封裝襯底，其中，所述電橋是嵌入式多管芯互連電橋(EMIB)。

3.根據權利要求1或2所述的封裝襯底，其中，所述第一襯底和所述第二襯底是EMIB。

4.根據權利要求1或2所述的封裝襯底，其中，所述第一襯底和所述第二襯底是高密度封裝(HDP)襯底。

5.根據權利要求1或2所述的封裝襯底，其中，所述電橋位于所述管芯中的兩個管芯之間，并且其中，所述電橋位于所述第一貼片的邊緣和所述第二貼片的邊緣之上。

6.根據權利要求1或2所述的封裝襯底，其中，所述第一襯底和所述第二襯底將所述多個管芯通信地耦合到所述電橋、所述第一貼片和所述第二貼片以及所述中介層。

7.根據權利要求1或2所述的封裝襯底，還包括所述中介層和所述多個堆積層上的底部填充材料，其中，所述底部填充材料在所述中介層的頂表面和所述包封層之間，并且其中，所述底部填充材料在所述多個堆積層的頂表面上并且圍繞所述電橋和所述多個管芯的表面。

8.根據權利要求5所述的封裝襯底，其中，所述包封層的頂表面與所述第一貼片和所述第二貼片的頂表面基本上共面，并且其中，所述包封層在所述第一貼片的所述邊緣和所述第二貼片的所述邊緣之間。

9.根據權利要求1或2所述的封裝襯底，其中，所述第一襯底和所述第二襯底分別嵌入在所述第一貼片和所述第二貼片中，并且其中，所述第一貼片和所述第二貼片嵌入在所述包封層中。

10.根據權利要求1或2所述的封裝襯底，其中，所述多個管芯、所述電橋、所述第一襯底和所述第二襯底以及所述第一貼片和所述第二貼片通過所述多個堆積層中的導電跡線和過孔而彼此通信地耦合。

11.一種封裝襯底，包括：

中介層上的第一貼片和第二貼片；

所述第一貼片和所述第二貼片上的襯底；

所述第一貼片和所述第二貼片之上和周圍的包封層；以及

所述襯底、所述第一貼片和所述第二貼片之上的多個管芯，其中，所述襯底將所述多個管芯通信地耦合到所述第一貼片和所述第二貼片。

12.根據權利要求11所述的封裝襯底，其中，所述襯底是EMIB。

13.根據權利要求11所述的封裝襯底，其中，所述襯底是HDP襯底。

14.根據權利要求12所述的封裝襯底，還包括：

所述第一貼片和所述第二貼片、所述包封層和所述EMIB上的多個堆積層，其中，所述多個管芯、所述EMIB以及所述第一貼片和所述第二貼片通過所述多個堆積層中的導電跡線和過孔而彼此通信地耦合；以及

耦合到所述EMIB的底表面以及所述第一貼片和所述第二貼片的頂表面的粘合層，其中，所述多個堆積層嵌入了所述EMIB和所述粘合層，其中，所述EMIB位于所述第一貼片的邊緣和所述第二貼片的邊緣上，并且其中，所述EMIB的所述粘合層在所述第一貼片和所述第二貼片之間的所述包封層上。