[發明專利]一種具有屏蔽氧化物的溝槽型肖特基整流器及其加工工藝

在審

• 申請號: 202010161084.2
• 申請日: 2020-03-10
• 公開（公告）號: CN111341852A
• 公開（公告）日: 2020-06-26
• 發明（設計）人: 汪良恩;焦世龍
• 申請（專利權）人: 安徽安芯電子科技股份有限公司
• 主分類號: H01L29/872
• 分類號: H01L29/872;H01L21/329;H01L29/06
• 代理公司: 上海華誠知識產權代理有限公司 31300
• 代理人: 陳國俊

1.一種具有屏蔽氧化物的溝槽型肖特基整流器，其特征在于為：包括帶有深溝槽結構的芯片，所述溝槽內淀積有二氧化硅，二氧化硅內填充有上、下二層間隔的多晶臺階，其溝槽側壁的氧化物上窄下寬，所述溝槽上層的多晶臺階及其兩側的二氧化硅形成屏蔽氧化物層，所述芯片上下表面是淀積的傳導金屬。

2.如權利要求1所述的一種具有屏蔽氧化物的溝槽型肖特基整流器，其特征在于：所述深溝槽結構的溝槽深度不低于外延層厚度的一半，以增加反向偏置下的電勢縱向降落空間，其溝槽寬度取決于額定耐壓與作為場板介質的二氧化硅厚度和由工藝能力限制的多晶填充最小厚度。

3.如權利要求1～2任一所述的一種具有屏蔽氧化物的溝槽型肖特基整流器的加工工藝，其特征在于包括如下步驟：

a. 取一其上覆蓋二氧化硅或氮化硅介質作為掩膜的芯片，采用干法刻蝕溝槽形成溝槽區域，溝槽區域之間為平臺；

b.熱生長或淀積二氧化硅附著于溝槽側壁和底部；

c.淀積多晶并研磨及干法回刻至溝槽深度的1/3～1/2處高度，形成多晶臺階；

d.濕法刻蝕溝槽側壁上部二氧化硅至高于溝槽內多晶平面0.1～0.3μm，露出溝槽側壁上部二氧化硅表面；

e.淀積或熱生長二氧化硅形成多晶頂部與溝槽上部介質層；

f.淀積多晶并回刻至溝槽側壁平臺高度，形成帶屏蔽氧化物的溝槽結構；

g.淀積勢壘金屬并退火，淀積傳導金屬。

4.如權利要求3所述的一種具有屏蔽氧化物的溝槽型肖特基整流器的加工工藝，其特征在于：所述步驟b中的二氧化硅厚度根據耐壓與壓降需要而定。