[發(fā)明專利]顯示裝置在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010160502.6 | 申請日: | 2020-03-10 |
| 公開(公告)號: | CN111697030A | 公開(公告)日: | 2020-09-22 |
| 發(fā)明(設計)人: | 樸宗元;金炫雄;李承珪;鄭先伊 | 申請(專利權)人: | 三星顯示有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L23/552;G09F9/33 |
| 代理公司: | 北京金宏來專利代理事務所(特殊普通合伙) 11641 | 代理人: | 樸英淑 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示裝置 | ||
1.一種顯示裝置,包括:
襯底,所述襯底包括顯示區(qū)域和至少部分地圍繞所述顯示區(qū)域的外圍區(qū)域;
多個掃描線,所述多個掃描線在所述顯示區(qū)域中在第一方向上延伸;
多個數據線,所述多個數據線在所述顯示區(qū)域中在與所述第一方向相交的第二方向上延伸;以及
多個扇出單元,所述多個扇出單元位于所述外圍區(qū)域中,所述多個扇出單元中的每個包括與所述多個數據線中的至少一些電連接的扇出線,
其中,在所述多個扇出單元中的至少一些中,所述扇出線包括交替地布置并且位于不同層上的第一扇出線和第二扇出線,以及
其中,包括在所述多個扇出單元中的兩個相鄰的扇出單元中的最外側扇出線為所述第一扇出線或所述第二扇出線。
2.如權利要求1所述的顯示裝置,其中,包括在所述多個扇出單元中的兩個相鄰的扇出單元中的所述第一扇出線和所述第二扇出線相對于相鄰的所述最外側扇出線彼此對稱。
3.如權利要求1所述的顯示裝置,其中,所述多個扇出單元中的每個具有:
接觸單元,所述接觸單元與所述顯示區(qū)域相鄰;
焊盤單元,所述焊盤單元與所述接觸單元相對地定位;以及
擴展單元,所述擴展單元布置在所述接觸單元與所述焊盤單元之間,以及
所述擴展單元包括第一區(qū)、第二區(qū)和第三區(qū),其中,所述第二區(qū)布置在所述第一區(qū)與所述第三區(qū)之間,以及
所述多個扇出單元中的至少一些在所述第一區(qū)中包括彎曲圖案。
4.如權利要求3所述的顯示裝置,其中,所述第二區(qū)和所述第三區(qū)具有不同的形狀。
5.如權利要求1所述的顯示裝置,其中,多個像素布置在所述顯示區(qū)域中,所述多個像素電連接到所述多個掃描線和所述多個數據線,以及
所述多個像素中的每個包括具有薄膜晶體管的像素電路、以及電連接到所述薄膜晶體管的發(fā)光元件。
6.如權利要求5所述的顯示裝置,其中,所述薄膜晶體管包括有源層、柵電極、源電極和漏電極,
第一柵極絕緣層布置在所述有源層與所述柵電極之間,
第二柵極絕緣層布置在所述柵電極與所述源電極和所述漏電極之間,以及
所述第一柵極絕緣層和所述第二柵極絕緣層中的每個延伸到所述外圍區(qū)域并且包括無機材料。
7.如權利要求6所述的顯示裝置,其中,所述柵電極和所述第一扇出線布置在相同層上,并且包括相同的材料。
8.如權利要求7所述的顯示裝置,其中,所述第二扇出線布置在所述第二柵極絕緣層上。
9.如權利要求8所述的顯示裝置,還包括:
層間絕緣層,所述層間絕緣層布置在所述第二扇出線上,
其中,所述源電極和所述漏電極在所述顯示區(qū)域中布置在所述層間絕緣層上。
10.如權利要求5所述的顯示裝置,其中,所述發(fā)光元件包括有機發(fā)光二極管。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





