[發明專利]一種光纖FA結構及高回損光接收器件

在審

• 申請號: 202010160365.6
• 申請日: 2020-03-10
• 公開（公告）號: CN111367027A
• 公開（公告）日: 2020-07-03
• 發明（設計）人: 鐘幸;陳麗瓊;聞小波;王一鳴;周紀承;許其建
• 申請（專利權）人: 武漢華工正源光子技術有限公司
• 主分類號: G02B6/42
• 分類號: G02B6/42
• 代理公司: 北京匯澤知識產權代理有限公司 11228
• 代理人: 吳靜

1.一種光纖FA結構，其特征在于：包括二氧化硅基板、玻璃蓋板和光纖，所述二氧化硅基板上表面具有刻蝕形成的V型槽，且二氧化硅基板的一端面具有全反射斜面，該全反射斜面的傾斜角α為41±0.5°，所述光纖置于V型槽內，所述玻璃蓋板覆蓋部分光纖，且玻璃蓋板位于遠離全反射斜面一端。

2.如權利要求1所述的一種光纖FA結構，其特征在于：所述二氧化硅基板上的V型槽為一個或多個，且多個V型槽平行并排布置。

3.如權利要求1所述的一種光纖FA結構，其特征在于：所述光纖包括光纖包層段和無包層段，所述光纖包層段為光纖的光輸出端，所述玻璃蓋板覆蓋于光纖的無包層段。

4.一種高回損光接收器件，其特征在于：包括權利要求1～3任一項所述的光纖FA結構，用于光電轉換的光電探測器以及接收組件；所述光電探測器包括光電探測PD芯片和設置在光電探測PD芯片上表面的聚焦透鏡，所述光電探測PD芯片上表面具有電極和有效光探測面，所述聚焦透鏡的通光孔中心與所述光電探測PD芯片的有效光探測面中心在縱向上錯位且在橫向上對齊布置，所述光電探測器與所述接收組件通過電連接金線導通。

5.如權利要求4所述的一種高回損光接收器件，其特征在于：所述聚焦透鏡為硅材質，且聚焦透鏡的折射率為3.2～3.5。

6.如權利要求4所述的一種高回損光接收器件，其特征在于：所述聚焦透鏡表面鍍有與工作波長對應的增透膜。

7.如權利要求4所述的一種高回損光接收器件，其特征在于：所述聚焦透鏡與光電探測PD芯片之間通過與其折射率匹配的膠水層連接，所述膠水層厚度為10～20μm。

8.如權利要求4所述的一種高回損光接收器件，其特征在于：所述聚焦透鏡的兩側點有絕緣的焊盤保護膠，所述焊盤保護膠的折射率為2～3。

9.如權利要求4所述的一種高回損光接收器件，其特征在于：所述接收組件包括COC基座和PCB板一，所述光纖FA結構和光電探測器均設置在COC基座上，所述PCB板一位于靠近COC基座上光電探測器的一端，且PCB板一與光電探測器的電極通過電連接金線連接。

10.如權利要求4所述的一種高回損光接收器件，其特征在于：所述接收組件包括PCB板二，所述光纖FA結構和光電探測器均設置在該PCB板二上，所述光電探測器的電極通過電連接金線與PCB板二連接。