[發明專利]一種基于硅基微腔的類神經元光脈沖輸出系統

有效

• 申請號: 202010160201.3
• 申請日: 2020-03-10
• 公開（公告）號: CN111348611B
• 公開（公告）日: 2023-05-09
• 發明（設計）人: 吳加貴;袁歡;張金平;鄧陽;王澤豪
• 申請（專利權）人: 西南大學
• 主分類號: B81B3/00
• 分類號: B81B3/00;B81B7/02;G06N3/067
• 代理公司: 重慶智慧之源知識產權代理事務所(普通合伙) 50234
• 代理人: 余洪

1.一種基于硅基微腔的類神經元光脈沖輸出系統，其特征在于，包括，激光光源，光隔離器，偏振光片，硅光機械微腔，光電二極管，高速示波器，光譜分析儀；

所述激光光源與光隔離器第一端連接；

所述光隔離器第二端與所述偏振光片第一端連接；

所述偏振光片第二端與所述硅光機械微腔第一端連接；

所述硅光機械微腔第二端與所述光譜分析儀連接；

所述硅光機械微腔第二端與光電二極管正極連接；

光電二極管負極分別與高速示波器，和光譜分析儀連接；

所述硅光機械微腔的硅基材料周期性的布置微小圓孔得到工作在C波段的光子晶體結構，并形成光學能帶結構；

所述硅光機械微腔的硅基材料晶格常數為500nm，孔半徑和晶格常數之間的差為0.34，硅光機械微腔中心區域分別設置5nm和10nm和15nm的微小孔位移，光機械晶體在絕緣體上硅晶圓上制作，使用250?nm厚的硅膜上進行反應性離子刻蝕，狹縫的寬度控制為臨界80納米寬度，使用抗蝕劑的圖案化輪廓為185?nm縫隙線寬，然后轉化成傾斜的氧化物蝕刻，得到底部為80?nm氧化物間隙。

2.如權利要求1所述的一種基于硅基微腔的類神經元光脈沖輸出系統，其特征在于，所述光隔離器用于防止外界干擾光的擾動；

所述偏振光片用于得到線偏振光；

所述硅光機械微腔用于通過載流子自發極限環振蕩和光機械振蕩的耦合輸出光脈沖；

所述光電二極管用于將光信號轉化為電信號；

所述高速示波器和光譜分析儀用于對波形進行分析。