[發(fā)明專利]一種硅基光電集成芯片裝置及帶有該硅基光電集成芯片裝置的發(fā)射系統(tǒng)

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010159662.9
• 申請日: 2020-03-10
• 公開（公告）號: CN111326599B
• 公開（公告）日: 2021-09-24
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 方舟;蔡鵬飛;張寧
• 申請（專利權(quán)）人: NANO科技（北京）有限公司
• 主分類號: H01L31/12
• 分類號: H01L31/12;H01L31/0232
• 代理公司: 北京京萬通知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11440
• 代理人: 許天易

1.一種硅基光電集成芯片裝置，包括：

片上集成的電光調(diào)制器，用于接收輸入的光源，并將輸入的電調(diào)制信號調(diào)制為光信號；

片上集成的光學(xué)濾波器，用于對來自所述片上集成的電光調(diào)制器的調(diào)制后的光信號進(jìn)行濾波，輸出經(jīng)過調(diào)制和濾波后的光信號；所述片上集成的光學(xué)濾波器包括微環(huán)結(jié)構(gòu)、馬赫-曾德爾干涉結(jié)構(gòu)、光子晶體結(jié)構(gòu)中的一種或多種結(jié)構(gòu)；

至少一個片上集成的光學(xué)耦合器，用于將所述經(jīng)過調(diào)制和濾波后的光信號輸出。

2.根據(jù)權(quán)利要求1的硅基光電集成芯片裝置，其特征在于，所述輸入的光源來自外置激光器。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的硅基光電集成芯片裝置，其特征在于，還包括一個片上集成的光學(xué)耦合器，其設(shè)置在所述外置激光器和所述片上集成的電光調(diào)制器之間，用于所述外置激光器和所述片上集成的電光調(diào)制器的光信號耦合。

4.根據(jù)權(quán)利要求1的硅基光電集成芯片裝置，其特征在于，還包括片上集成的激光器，所述輸入的光源來自所述片上集成的激光器。

5.根據(jù)權(quán)利要求1的硅基光電集成芯片裝置，其特征在于，所述硅基光電集成芯片裝置的基底材料為絕緣襯底上的硅。

6.根據(jù)權(quán)利要求1的硅基光電集成芯片裝置，其特征在于，所述片上集成電光調(diào)制器為馬赫-曾德爾干涉調(diào)制器(MZM)，或為微環(huán)調(diào)制器(MRM)，或為電吸收調(diào)制器(EAM)，或為多個MZM、MRM、EAM組成的復(fù)雜格式調(diào)制器。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅基光電集成芯片裝置，其特征在于，所述片上集成的光學(xué)濾波器為二階微環(huán)濾波器。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅基光電集成芯片裝置，其特征在于，所述片上集成光學(xué)濾波器的工作波長范圍是C波段或O波段。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅基光電集成芯片裝置，其特征在于，所述片上集成光學(xué)濾波器的工作波長范圍是C波段和L波段。

10.一種包括權(quán)利要求1至9任一項所述的硅基光電集成芯片裝置的發(fā)射系統(tǒng)，其特征在于，包括：

數(shù)字信號處理芯片(DSP)，用于將輸入的電調(diào)制信號轉(zhuǎn)換為電數(shù)字信號；

數(shù)模轉(zhuǎn)換器(DAC)，用于將所述數(shù)字信號轉(zhuǎn)換為電模擬信號；

驅(qū)動器，用于對所述電模擬信號進(jìn)行放大，并將放大后的電模擬信號輸出到所述硅基光電集成芯片的片上集成的電光調(diào)制器；

微控單元(MCU)，用于通過電控制信號來控制所述數(shù)字信號處理芯片、所述硅基光電集成芯片的片上集成的電光調(diào)制器和片上集成的光學(xué)濾波器。