[發明專利]SONOS器件的制作方法

有效

• 申請號: 202010159625.8
• 申請日: 2020-03-10
• 公開（公告）號: CN111354638B
• 公開（公告）日: 2022-08-26
• 發明（設計）人: 董立群;劉政紅;奇瑞生;黃冠群;陳昊瑜;邵華
• 申請（專利權）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類號: H01L21/311
• 分類號: H01L21/311;H01L21/28;H01L27/11524;H01L27/1157
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 曹廷廷

1.一種SONOS器件的制作方法，其特征在于，包括以下步驟：

步驟S1：提供一半導體基底，所述半導體基底定義有SONOS區域和與所述SONOS區域連接的非SONOS區域，初始階段的所述半導體基底在所述非SONOS區域的臺階不低于所述SONOS區域，所述半導體基底上依次形成有犧牲氧化層和ONO層，所述犧牲氧化層和ONO層覆蓋所述SONOS區域和非SONOS區域，所述ONO層包括依次堆疊在所述犧牲氧化層上的隧穿氧化層、氮化層和第一阻攔氧化層；

步驟S2：在所述ONO層上方涂敷光刻膠并顯影打開非SONOS區域；

步驟S3：去除非SONOS區域的第一阻攔氧化層；

步驟S4：去除光刻膠，并去除非SONOS區域的氮化層；

步驟S5：去除非SONOS區域的犧牲氧化層和SONOS區域的第一阻攔氧化層；

步驟S6：在所述非SONOS區域的半導體基底上形成柵氧層，并在所述SONOS區域的氮化層的上方形成第二阻攔氧化層。

2.如權利要求1所述的SONOS器件的制作方法，其特征在于，所述形成ONO層的步驟包括：

步驟S11：對所述犧牲氧化層和所述半導體基底進行預清洗；

步驟S12：在所述預清洗之后的犧牲氧化層上依次進行隧穿氧化層、氮化層和第一阻攔氧化層的沉積，以形成ONO層。

3.如權利要求1所述的SONOS器件的制作方法，其特征在于，所述ONO層的厚度為

4.如權利要求1所述的SONOS器件的制作方法，其特征在于，在步驟S6中，形成所述柵氧層和第二阻攔氧化層的方法包括ISSG工藝。

5.如權利要求4所述的SONOS器件的制作方法，其特征在于，所述ISSG工藝的溫度為800℃～1300℃，所述ISSG工藝所使用的氣體包括氫氣。

6.如權利要求1所述的SONOS器件的制作方法，其特征在于，在步驟S4中，所述去除非SONOS區域的氮化層的方法包括濕法刻蝕。

7.如權利要求6所述的SONOS器件的制作方法，其特征在于，所述濕法刻蝕的試劑包括磷酸溶液。

8.如權利要求1所述的SONOS器件的制作方法，其特征在于，在步驟S5中，采用同一道濕法刻蝕工藝來一并去除非SONOS區域的犧牲氧化層和SONOS區域的第一阻攔氧化層。

9.如權利要求8所述的SONOS器件的制作方法，其特征在于，所述濕法刻蝕工藝所采用的試劑包括氫氟酸。

10.如權利要求1所述的SONOS器件的制作方法，其特征在于，在步驟S4中，所述去除光刻膠的方法包括：

步驟S41：采用干法刻蝕將所述光刻膠刻蝕掉；

步驟S42：采用濕法刻蝕進行表面清洗。