[發明專利]用于解決不同圖案密度區域處的外延生長負載效應的方法

有效

• 申請號: 202010159529.3
• 申請日: 2018-05-16
• 公開（公告）號: CN111341781B
• 公開（公告）日: 2021-06-04
• 發明（設計）人: 方振;黃海輝;徐二江;王猛
• 申請（專利權）人: 長江存儲科技有限責任公司
• 主分類號: H01L27/11524
• 分類號: H01L27/11524;H01L27/11551;H01L27/1157;H01L27/11578
• 代理公司: 北京永新同創知識產權代理有限公司 11376
• 代理人: 楊錫勱;劉柳

1.一種圖案化器件，包括：

襯底，所述襯底能夠充當晶種層；

所述襯底之上的第一絕緣層；

低圖案密度區域，其包括所述第一絕緣層和所述襯底中的第一溝槽；

高圖案密度區域，其包括所述第一絕緣層和所述襯底中的第二溝槽；

形成于所述第一溝槽中的第二絕緣層；以及

從所述晶種層開始的形成于所述第二溝槽中的外延生長層，

其中，所述第一溝槽具有比所述第二溝槽大的截面面積；

以及其中，所述第二溝槽的與所述襯底相對的頂端保持暴露。

2.根據權利要求1所述的圖案化器件，其中，所述第一絕緣層包括交替的氧化硅層和氮化硅層。

3.根據權利要求1所述的圖案化器件，其中，所述圖案化器件包括三維NAND存儲器件。

4.根據權利要求1所述的圖案化器件，其中，所述第二絕緣層是氧化硅。

5.根據權利要求4所述的圖案化器件，其中，所述第二絕緣層是原子層沉積的氧化硅。

6.根據權利要求1所述的圖案化器件，其中，所述第二絕緣層完全填充所述低圖案密度區域的所述第一溝槽。

7.根據權利要求1所述的圖案化器件，其中，所述第二絕緣層填充所述第一溝槽，并且所述第二溝槽保持貫穿到所述襯底，以便減小所述低圖案密度區域和所述高圖案密度區域之間的外延生長負載效應。