[發(fā)明專利]一種顯示用基板及其制備方法、顯示裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010159284.4 | 申請日: | 2020-03-09 |
| 公開(公告)號: | CN111244115B | 公開(公告)日: | 2022-12-02 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 倪柳松;趙策;王明;胡迎賓;宋威;王慶賀;李廣耀;劉寧;李偉;劉軍 | 申請(專利權(quán))人: | 合肥鑫晟光電科技有限公司;京東方科技集團股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/12 | 分類號: | H01L27/12;H01L27/32;G02F1/1362 |
| 代理公司: | 北京中博世達專利商標(biāo)代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
| 地址: | 230012 *** | 國省代碼: | 安徽;34 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 顯示 用基板 及其 制備 方法 顯示裝置 | ||
1.一種顯示用基板,其特征在于,包括:
襯底基板;
層疊設(shè)置在所述襯底基板上的第一導(dǎo)電層、第一絕緣層和第二導(dǎo)電層,所述第一絕緣層在所述第一導(dǎo)電層和所述第二導(dǎo)電層之間,所述第一導(dǎo)電層包括至少一條第一走線,所述第一走線包括多個走線段和位于相鄰兩個走線段之間的間斷部,所述第二導(dǎo)電層包括至少一條第二走線,所述第二走線在所述襯底基板上的正投影與所述第一走線在所述襯底基板上的正投影相交叉,且交叉的區(qū)域位于所述間斷部在所述襯底基板上的正投影以內(nèi);
設(shè)置于所述第一導(dǎo)電層遠離所述第二導(dǎo)電層的一側(cè)的第三導(dǎo)電層,以及設(shè)置于所述第三導(dǎo)電層與所述第一導(dǎo)電層之間的第二絕緣層,所述第三導(dǎo)電層包括多個連接圖案,一個連接圖案將一個所述間斷部兩側(cè)的兩個走線段通過所述第二絕緣層上的過孔電連接;
所述第一走線為柵線,所述第二走線包括數(shù)據(jù)線或電源線,所述第一導(dǎo)電層還包括薄膜晶體管的柵極,所述第二導(dǎo)電層還包括所述薄膜晶體管的源極和漏極;或者,所述第一走線為數(shù)據(jù)線或電源線,所述第二走線為柵線;所述第一導(dǎo)電層還包括薄膜晶體管的源極和漏極,所述第二導(dǎo)電層還包括所述薄膜晶體管的柵極;
所述第二絕緣層位于所述薄膜晶體管與所述第三導(dǎo)電層之間;所述第二絕緣層遠離所述第三導(dǎo)電層的表面與所述第一走線中的所述多個走線段接觸。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示用基板,其特征在于,沿所述第一走線的延伸方向,所述交叉的區(qū)域與所述間斷部在所述襯底基板上的正投影之間具有間隙。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示用基板,其特征在于,所述第一導(dǎo)電層相比于所述第二導(dǎo)電層靠近所述襯底基板。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示用基板,其特征在于,所述顯示用基板還包括:第一半導(dǎo)體層和柵絕緣層,所述第一半導(dǎo)體層和所述柵絕緣層位于所述第二絕緣層與所述第一導(dǎo)電層之間,所述第一半導(dǎo)體層相比于所述柵絕緣層靠近所述第二絕緣層;
所述第一半導(dǎo)體層包括所述薄膜晶體管的有源層圖案,所述薄膜晶體管的源極和漏極貫穿所述柵絕緣層和所述第一絕緣層與所述薄膜晶體管的有源層圖案電連接。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示用基板,其特征在于,所述顯示用基板還包括:第二半導(dǎo)體層,所述第二半導(dǎo)體層位于所述第一絕緣層與所述第二導(dǎo)電層之間;
所述第二半導(dǎo)體層包括:所述薄膜晶體管的有源層圖案,所述薄膜晶體管的源極和漏極與所述薄膜晶體管的有源層圖案電連接。
6.根據(jù)權(quán)利要求4或5所述的顯示用基板,其特征在于,所述第三導(dǎo)電層還包括:遮光圖案;
當(dāng)所述顯示用基板還包括:第一半導(dǎo)體層時,所述第一半導(dǎo)體層在所述襯底基板上的正投影在所述遮光圖案在所述襯底基板上的正投影內(nèi);
當(dāng)所述顯示用基板還包括:第二半導(dǎo)體層時,所述第二半導(dǎo)體層在所述襯底基板上的正投影在所述遮光圖案在所述襯底基板上的正投影內(nèi)。
7.一種顯示裝置,其特征在于,所述顯示裝置包括權(quán)利要求1-6任一項所述的顯示用基板。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





