[發明專利]處理裝置、裝置管理控制器、程序以及半導體器件的制造方法在審
| 申請號: | 202010159255.8 | 申請日: | 2017-03-06 |
| 公開(公告)號: | CN111354661A | 公開(公告)日: | 2020-06-30 |
| 發明(設計)人: | 淺井一秀;山本一良;林原秀元;川岸隆之;屋敷佳代子;宮田幸男;巖倉裕幸;奧野正則;藤元賢一;鍛治隆一 | 申請(專利權)人: | 株式會社國際電氣 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;G05B19/406;G05B19/418 |
| 代理公司: | 北京市金杜律師事務所 11256 | 代理人: | 陳偉;劉偉志 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 處理 裝置 管理 控制器 程序 以及 半導體器件 制造 方法 | ||
1.一種處理裝置,其特征在于,
具備裝置管理控制器,該裝置管理控制器具有對構成裝置的結構部件的部件數據進行監視的部件管理控制部、對從構成裝置的結構部件的動作狀態得到的裝置數據的健全性進行監視的裝置狀態監視控制部、和對從工廠設備提供給裝置的設備數據進行監視的數據匹配控制部中的至少多個控制部,
所述裝置管理控制器構成為,基于所述部件管理控制部所獲取的保養時期監視結果數據、所述裝置狀態監視控制部所獲取的裝置狀態監視結果數據和所述數據匹配控制部所獲取的必須能力監視結果數據中的至少多個監視結果數據,導出對所述裝置數據、所述部件數據、所述設備數據中的至少多個數據進行評價并表示裝置的運用狀態的信息。
2.根據權利要求1所述的處理裝置,其特征在于,
所述裝置管理控制器構成為,導出表示所述裝置的運用狀態的指數,該表示所述裝置的運用狀態的指數是根據從由所述保養時期監視結果數據、所述裝置狀態監視結果數據和所述必須能力監視結果數據構成的組中選擇的至少一個監視結果數據中的、被判定為異常的監視結果數據而計算出的。
3.根據權利要求1所述的處理裝置,其特征在于,
所述裝置管理控制器構成為,針對包含裝置的結構部位的多個診斷對象項目的每一個,對所述保養時期監視結果數據或者所述裝置狀態監視結果數據判定異常的程度。
4.根據權利要求1所述的處理裝置,其特征在于,
所述數據匹配控制部構成為,分別對與從工廠設備供給的項目即顧客必須能力項目有關的所述設備數據和成為該設備數據的基準的基準數據進行比較,來判定所述設備數據是否異常。
5.根據權利要求1所述的處理裝置,其特征在于,
還具有顯示裝置,該顯示裝置顯示從由所述保養時期監視結果數據、所述裝置狀態監視結果數據和所述必須能力監視結果數據構成的組中選擇的至少一個監視結果數據,
所述數據匹配控制部構成為,將對所述設備數據和所述基準數據進行比較而判定為異常的所述必須能力監視結果數據,以表示發生了異常的圖標顯示于所述顯示裝置。
6.根據權利要求1所述的處理裝置,其特征在于,
所述裝置管理控制器具備存儲主裝置的裝置名稱和IP地址的存儲部,
所述數據匹配控制部構成為,在通過所述IP地址進行了與所述主裝置的通信連接之后,對通過所述通信連接而獲取的所述主裝置的裝置名稱和存儲在所述存儲部中的所述主裝置的裝置名稱進行核對。
7.根據權利要求6所述的處理裝置,其特征在于,
所述數據匹配控制部構成為,在所述核對中裝置名稱一致的情況下,從所述主裝置獲取配方文件,并復制該獲取的所述主裝置的配方文件而作為所述處理裝置的配方文件。
8.根據權利要求6所述的處理裝置,其特征在于,
所述數據匹配控制部構成為,在所述核對中裝置名稱一致的情況下,從所述主裝置獲取參數文件,并對該獲取的所述主裝置的參數文件和所述處理裝置的參數文件進行核對。
9.根據權利要求7或8所述的處理裝置,其特征在于,
還具有顯示裝置,所述顯示裝置具有顯示裝置間的文件的復制或核對的結果的操作畫面,
所述數據匹配控制部構成為,使所述主裝置的配方文件的復制進度狀況、或者所述主裝置的參數文件的核對進度狀況顯示到所述顯示裝置上。
10.根據權利要求9所述的處理裝置,其特征在于,
所述數據匹配控制部構成為,使裝置間的文件的復制或核對的結果為文件間一致的比例顯示到所述顯示裝置上。
11.根據權利要求1所述的處理裝置,其特征在于,
所述裝置狀態監視控制部構成為,對從構成裝置的結構部件的動作狀態得到的裝置數據和與所述裝置數據對應的標準數據進行比較,來判定所述裝置數據是否異常。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
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H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





