[發明專利]具有低柵極電荷和低品質因數的功率器件

在審

• 申請號: 202010159209.8
• 申請日: 2020-03-09
• 公開（公告）號: CN111668297A
• 公開（公告）日: 2020-09-15
• 發明（設計）人: 高陽
• 申請（專利權）人: 英飛凌科技美國公司
• 主分類號: H01L29/423
• 分類號: H01L29/423;H01L29/417;H01L29/78;H01L21/28;H01L21/336
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 黃倩

1.一種器件，所述器件包括單元，其中每個單元包括：

本體，所述本體包括主頂表面和主底表面；

柵極，所述柵極在所述器件的所述主表面上，并且具有第一長度；

柵極絕緣層，所述柵極絕緣層在所述柵極之上，并且具有第二長度，所述第二長度是所述第一長度的至少兩倍；

源極接觸部，所述源極接觸部在所述器件本體的鄰近于所述柵極的一側上；

源極金屬層，所述源極金屬層在所述柵極絕緣層之上；以及

漏極，所述漏極在所述單元的所述主底表面上。

2.根據權利要求1所述的器件，其中所述器件包括多個基本相同的單元。

3.根據權利要求1所述的器件，其中所述柵極關于所述柵極絕緣層不對稱。

4.根據權利要求1所述的器件，其中所述源極接觸部關于所述柵極絕緣層不對稱。

5.根據權利要求1所述的器件，其中所述第二長度是所述第一長度的至少三倍。

6.根據權利要求1所述的器件，其中所述柵極包括最小長度柵極。

7.根據權利要求1所述的器件，其中所述柵極包括多晶硅柵極。

8.一種器件，所述器件包括單元，其中每個單元包括：

柵極條帶，所述柵極條帶具有第一邊緣和第二邊緣；

源極條帶，所述源極條帶在所述器件單元的一側上，所述源極條帶沿著所述柵極條帶的所述第一邊緣延伸，并且由所述柵極條帶的所述第一邊緣交疊；以及

電荷減少條帶，所述電荷減少條帶沿著所述柵極條帶的所述第二邊緣延伸。

9.根據權利要求8所述的器件，其中所述器件包括多個基本相同的單元。

10.根據權利要求8所述的器件，進一步包括：在活動操作模式中在所述柵極條帶下方的溝道。

11.根據權利要求8所述的器件，其中在活動操作模式中，沒有溝道被形成在所述電荷減少條帶下方。

12.根據權利要求8所述的器件，其中所述電荷減少條帶的長度大于所述源極條帶或所述柵極條帶的長度。

13.根據權利要求8所述的器件，其中所述柵極條帶包括最小長度柵極條帶。

14.根據權利要求8所述的器件，其中所述柵極條帶包括多晶硅柵極條帶。

15.一種制造器件單元的方法，所述方法包括：

在所述器件單元的主表面上形成具有第一長度的柵極；

在所述柵極之上形成柵極絕緣層，所述柵極絕緣層具有第二長度，所述第二長度是所述第一長度的至少兩倍；

在所述器件單元的鄰近于所述柵極的一側上形成源極接觸部；

在所述柵極絕緣層之上形成源極金屬層；以及

在所述器件單元的主底表面上形成漏極。

16.根據權利要求15所述的方法，進一步包括形成多個基本相同的單元。

17.根據權利要求15所述的方法，其中所述柵極關于所述柵極絕緣層不對稱地被形成。

18.根據權利要求15所述的方法，其中所述源極接觸部關于所述柵極絕緣層不對稱地被形成。

19.根據權利要求15所述的方法，其中形成所述柵極包括形成最小長度柵極。

20.根據權利要求15所述的方法，其中形成所述柵極包括形成多晶硅柵極。