[發明專利]表面沉積有SiO2 在審
| 申請號： | 202010159204.5 | 申請日： | 2020-03-09 |
| 公開（公告）號： | CN111422901A | 公開（公告）日： | 2020-07-17 |
| 發明（設計）人： | 宋文;李哲;張玉梅;何奕德 | 申請（專利權）人： | 中國人民解放軍第四軍醫大學 |
| 主分類號： | C01G23/047 | 分類號： | C01G23/047;B82Y30/00;A61L27/30;A61L27/02;A61L27/56;A61L27/50 |
| 代理公司： | 西安恒泰知識產權代理事務所 61216 | 代理人： | 史玫 |
| 地址： | 710032 *** | 國省代碼： | 陜西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 表面 沉積 sio base sub | ||
1.表面沉積有SiO2多孔的TiO2納米管陣列的制備方法，其特征在于，方法包括：采用油-水兩相法在TiO2納米管陣列上沉積SiO2多孔，所述油-水兩相法中的油相為含有TEOS的溶液，水相為含有CTAC的溶液，所述TiO2納米管管徑大于50nm。
2.如權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述TiO2納米管管徑大于等于80nm。
3.如權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述SiO2多孔為介孔。
4.如權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述SiO2多孔的孔徑為2-4nm。
5.如權利要求1所述制備方法，其特征在于，方法包括：將表面具有TiO2納米管陣列的鈦置于CTAC、三乙胺和水的混合液中，恒溫條件下、攪拌過程中加入TEOS與環己烷混合液或TEOS與癸烷混合液進行反應，反應完后，經過干燥、焙燒處理得到表面沉積有SiO2多孔的TiO2納米管陣列。
6.如權利要求5所述制備方法，其特征在于，所述恒溫溫度為55-65℃。
7.如權利要求5所述制備方法，其特征在于，所述干燥的適宜溫度范圍是55-65℃。
8.如權利要求5所述制備方法，其特征在于，所述焙燒的適宜溫度范圍是490-510℃。
9.權利要求1所述方法制備的表面沉積有SiO2多孔的TiO2納米管陣列用于制備口腔種植體的應用。
10.一種口腔種植體的制備方法，其特征在于，方法包括：采用油-水兩相法在TiO2納米管種植體表面沉積SiO2，所述油-水兩相法中的油相為含有正硅酸乙酯TEOS的溶液，水相為含有十六烷基三甲基氯化銨CTAC的溶液。
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