[發(fā)明專利]閃存壽命測(cè)試方法、裝置、電力采集終端及存儲(chǔ)介質(zhì)

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010158853.3
• 申請(qǐng)日: 2020-03-09
• 公開（公告）號(hào): CN111312326B
• 公開（公告）日: 2021-11-12
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 范存全;劉寧;黃孟孟
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 寧波三星醫(yī)療電氣股份有限公司
• 主分類號(hào): G11C29/50
• 分類號(hào): G11C29/50
• 代理公司: 北京超成律師事務(wù)所 11646
• 代理人: 鄧超

本發(fā)明實(shí)施例提供的閃存壽命測(cè)試方法、裝置、電力采集終端及存儲(chǔ)介質(zhì)，涉及電力采集終端領(lǐng)域，方法應(yīng)用于任意一種電力采集終端，包括：根據(jù)環(huán)境識(shí)別參數(shù)確定任意一種電力采集終端對(duì)應(yīng)的閃存壽命測(cè)試區(qū)；環(huán)境識(shí)別參數(shù)與壽命閃存測(cè)試區(qū)具有對(duì)應(yīng)關(guān)系；獲取任意一種電力采集終端對(duì)應(yīng)的閃存壽命測(cè)試區(qū)的區(qū)容量值、塊容量值和實(shí)際累計(jì)擦寫次數(shù)；當(dāng)塊容量值大于預(yù)設(shè)閾值時(shí)，在測(cè)試時(shí)長內(nèi)根據(jù)區(qū)容量值、塊容量值和實(shí)際累計(jì)擦寫次數(shù)確定任意一種電力采集終端對(duì)應(yīng)閃存的壽命值；本發(fā)明通過設(shè)置環(huán)境識(shí)別參數(shù)來區(qū)分不同的電力采集終端產(chǎn)品，解決了現(xiàn)有技術(shù)不能兼容所有產(chǎn)品的問題，實(shí)現(xiàn)各類電力采集終端產(chǎn)品對(duì)閃存壽命有效、高效測(cè)試的目的。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及電力采集終端領(lǐng)域，具體而言，涉及一種閃存壽命測(cè)試方法、裝置、電力采集終端及存儲(chǔ)介質(zhì)。

背景技術(shù)

隨著電力采集終端產(chǎn)品的飛速發(fā)展，在這些終端產(chǎn)品中存儲(chǔ)系統(tǒng)數(shù)據(jù)和用戶數(shù)據(jù)的芯片大都采用閃存(NAND FLASH)實(shí)現(xiàn)，因此閃存存儲(chǔ)對(duì)整個(gè)電力設(shè)備的系統(tǒng)安全來說是極為重要的。閃存作為存儲(chǔ)終端各類數(shù)據(jù)的主要器件，擦寫次數(shù)有限的，若頻繁擦寫將會(huì)對(duì)其壽命產(chǎn)生影響。因此在新品測(cè)試階段、生產(chǎn)階段、現(xiàn)場(chǎng)運(yùn)行階段均需要注重對(duì)閃存壽命的檢測(cè)，因此，如果能夠在使用的過程中實(shí)現(xiàn)對(duì)其壽命進(jìn)行檢測(cè)，就可以在失效發(fā)生前采取相應(yīng)的措施以免遭受數(shù)據(jù)丟失的損失。

目前，傳統(tǒng)的閃存壽命測(cè)試方法是編寫?yīng)毩⒌臏y(cè)試程序進(jìn)行測(cè)試，這就造成測(cè)試代碼冗余且維護(hù)量大，同時(shí)不能兼容所有的平臺(tái)的產(chǎn)品(集中器、專變、通信模塊等)，不利于各類產(chǎn)品對(duì)壽命的有效、高效評(píng)估。

發(fā)明內(nèi)容

有鑒于此，本發(fā)明提供一種閃存壽命測(cè)試方法、裝置、電力采集終端及存儲(chǔ)介質(zhì)，用于解決現(xiàn)有測(cè)試方法不能兼容所有平臺(tái)，不利于各類產(chǎn)品對(duì)壽命的有效、高效評(píng)估的問題。

為了解決實(shí)現(xiàn)解決上述問題的目的，本發(fā)明采用的技術(shù)方案如下：

第一方面，本發(fā)明提供一種閃存壽命測(cè)試方法，應(yīng)用于任意一種電力采集終端；所述任意一種電力采集終端對(duì)應(yīng)的閃存壽命測(cè)試區(qū)不同；所述方法包括：根據(jù)環(huán)境識(shí)別參數(shù)確定所述任意一種電力采集終端對(duì)應(yīng)的閃存壽命測(cè)試區(qū)；所述環(huán)境識(shí)別參數(shù)與所述閃存壽命測(cè)試區(qū)具有對(duì)應(yīng)關(guān)系；獲取所述任意一種電力采集終端對(duì)應(yīng)的閃存壽命測(cè)試區(qū)的區(qū)容量值、塊容量值和實(shí)際累計(jì)擦寫次數(shù)；當(dāng)所述塊容量值大于預(yù)設(shè)閾值時(shí)，在測(cè)試時(shí)長內(nèi)根據(jù)所述區(qū)容量值、所述塊容量值和所述實(shí)際累計(jì)擦寫次數(shù)確定所述任意一種電力采集終端對(duì)應(yīng)閃存的壽命值。可選地，所述在測(cè)試時(shí)長內(nèi)根據(jù)所述區(qū)容量值、所述塊容量值和所述實(shí)際累計(jì)擦寫次數(shù)確定所述任意一種電力采集終端對(duì)應(yīng)閃存的壽命值的步驟包括：根據(jù)所述區(qū)容量值、塊容量值確定所述任意一種電力采集終端對(duì)應(yīng)閃存的塊個(gè)數(shù)；根據(jù)所述測(cè)試時(shí)長和所述塊個(gè)數(shù)確定所述任意一種電力采集終端對(duì)應(yīng)閃存的壽命值。

可選地，所述任意一種電力采集終端對(duì)應(yīng)閃存的壽命值滿足以下關(guān)系式：壽命值*s＝(unit n)(((N_max*(n*(1-p))/N_real*t)/(T/s)))，其中，N_max、n、p、N_real、T分別表征所述任意一種電力采集終端對(duì)應(yīng)閃存的最大擦寫次數(shù)、塊個(gè)數(shù)、塊容壞率、所述實(shí)際累計(jì)擦寫次數(shù)、所述實(shí)際累計(jì)擦寫次數(shù)和最大使用時(shí)長；t表征所述測(cè)試時(shí)長，s表征所述壽命值擴(kuò)大的倍數(shù)；unit n表征所述壽命值的數(shù)據(jù)類型。

可選地，所述獲取所述任意一種電力采集終端對(duì)應(yīng)的閃存壽命測(cè)試區(qū)的區(qū)容量值、塊容量值和實(shí)際累計(jì)擦寫次數(shù)的步驟包括；獲取所述任意一種電力采集終端對(duì)應(yīng)閃存的區(qū)容量值、塊容量值、擦寫次數(shù)初始值和所述測(cè)試時(shí)長內(nèi)的擦寫總次數(shù)；根據(jù)所述測(cè)試時(shí)長內(nèi)的擦寫總次數(shù)和所述擦寫次數(shù)初始值確定所述實(shí)際累計(jì)擦寫次數(shù)。

可選地，所述方法還包括：統(tǒng)計(jì)所述任意一種電力采集終端對(duì)應(yīng)閃存的每個(gè)分區(qū)中的每個(gè)塊的擦寫次數(shù)，擦寫總次數(shù)，平均擦寫次數(shù)以及所述每個(gè)塊的最小擦寫次數(shù)和最大擦寫次數(shù)。