[發(fā)明專利]一種IGBT驅(qū)動(dòng)電路在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202010158825.1 | 申請(qǐng)日: | 2020-03-09 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN111294033A | 公開(kāi)(公告)日: | 2020-06-16 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 李良;彭佳麗;來(lái)鵬飛;李行;唐映強(qiáng) | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 無(wú)錫中微愛(ài)芯電子有限公司 |
| 主分類號(hào): | H03K17/567 | 分類號(hào): | H03K17/567;H03K17/08 |
| 代理公司: | 北京科家知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11427 | 代理人: | 宮建華 |
| 地址: | 214000 江蘇省無(wú)錫市*** | 國(guó)省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 igbt 驅(qū)動(dòng) 電路 | ||
本發(fā)明公開(kāi)了驅(qū)動(dòng)電路技術(shù)領(lǐng)域的一種IGBT驅(qū)動(dòng)電路,包括限壓電路、控制電路、限流電路,所述限壓電路包括:第一齊納二極管;第二齊納二極管,所述第二齊納二極管與所述第一齊納二極管串聯(lián),所述控制電路包括限壓電路控制輸入LP、電阻R2、下拉電阻R3和控制管N3,所述限壓電路控制輸入LP與所述電阻R2串聯(lián),所述下拉電阻R3并聯(lián)在所述電阻R2與所述控制管N3之間,本發(fā)明將分立器件實(shí)現(xiàn)的限壓電路集成在芯片中,節(jié)省了面積,降低了成本,將限壓電路與IGBT的驅(qū)動(dòng)電路結(jié)合在一個(gè)功能塊里進(jìn)一步節(jié)省了面積和成本,同時(shí)借助IGBT的驅(qū)動(dòng)電路中的電阻限制了限壓支路的電流,降低了功耗,保護(hù)了驅(qū)動(dòng)芯片的安全。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及驅(qū)動(dòng)電路技術(shù)領(lǐng)域,具體為一種IGBT驅(qū)動(dòng)電路。
背景技術(shù)
驅(qū)動(dòng)電路位于主電路和控制電路之間,用來(lái)對(duì)控制電路的信號(hào)進(jìn)行放大的中間電路(即放大控制電路的信號(hào)使其能夠驅(qū)動(dòng)功率晶體管),稱為驅(qū)動(dòng)電路。驅(qū)動(dòng)電路的作用:將控制電路輸出的PWM脈沖放大到足以驅(qū)動(dòng)功率晶體管—開(kāi)關(guān)功率放大作用。
現(xiàn)今市場(chǎng)上的IGBT驅(qū)動(dòng)電路多采用16V~18V的電壓驅(qū)動(dòng),而在相同的飽和壓降VCE的情況下,IGBT的驅(qū)動(dòng)電壓VGE越高,集電極電流IC越大,所以在過(guò)高的電壓下,IGBT在工作時(shí)會(huì)產(chǎn)生較大的峰值電流,從而會(huì)使IGBT的功耗較大,容易損壞。
現(xiàn)今市場(chǎng)上通常解決這類問(wèn)題的辦法就是在IGBT的輸入端增加分立器件形式的穩(wěn)壓二極管將最高電壓穩(wěn)定在12V或者9V來(lái)解決,這樣不僅因增加了幾個(gè)分立器件導(dǎo)致了成本的增加,也導(dǎo)致其占用了一部分PCB的面積,同時(shí)會(huì)增加電路較大的功耗。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種IGBT驅(qū)動(dòng)電路,以解決上述背景技術(shù)中提出的現(xiàn)今市場(chǎng)上通常解決這類問(wèn)題的辦法就是在IGBT的輸入端增加分立器件形式的穩(wěn)壓二極管將最高電壓穩(wěn)定在12V或者9V來(lái)解決,這樣不僅因增加了幾個(gè)分立器件導(dǎo)致了成本的增加,也導(dǎo)致其占用了一部分PCB的面積,同時(shí)會(huì)增加電路較大的功耗的問(wèn)題。
為實(shí)現(xiàn)上述目的,本發(fā)明提供如下技術(shù)方案:一種IGBT驅(qū)動(dòng)電路,包括限壓電路、控制電路和限流電路。
優(yōu)選的,所述限壓電路、所述控制電路和所述限流電路相并聯(lián)。
優(yōu)選的,所述限壓電路包括:
第一齊納二極管;
第二齊納二極管,所述第二齊納二極管與所述第一齊納二極管串聯(lián)。
優(yōu)選的,所述控制電路包括限壓電路控制輸入LP、電阻R2、下拉電阻R3和控制管N3,所述限壓電路控制輸入LP與所述電阻R2串聯(lián),所述電阻R2與所述控制管N3相串聯(lián),所述下拉電阻R3并聯(lián)在所述電阻R2與所述控制管N3之間。
優(yōu)選的,所述限流電路包括電阻R1和正向二極管N22,所述電阻R1與所述正向二極管N22相串聯(lián)。
與現(xiàn)有技術(shù)相比,本發(fā)明的有益效果是:本發(fā)明將分立器件實(shí)現(xiàn)的限壓電路集成在芯片中,節(jié)省了面積,降低了成本,將限壓電路與IGBT的驅(qū)動(dòng)電路結(jié)合在一個(gè)功能塊里進(jìn)一步節(jié)省了面積和成本,同時(shí)借助IGBT的驅(qū)動(dòng)電路中的電阻限制了限壓支路的電流,降低了功耗,保護(hù)了驅(qū)動(dòng)芯片的安全,LP接收到MCU的信號(hào)置高時(shí),限壓電路開(kāi)始工作,A點(diǎn)電壓被限壓在設(shè)定所需要的電壓U1,如希望IGBT驅(qū)動(dòng)輸出限制在12V,此時(shí)A電壓的設(shè)定U1=12V+VBE,B點(diǎn)電壓為U2=12V+2VBE,最終C點(diǎn)電壓為12V,此時(shí)限壓部分的支路電流被限制在(VCC-U2)/R1以下。
附圖說(shuō)明
圖1為本發(fā)明結(jié)構(gòu)示意圖;
圖2為本發(fā)明限壓電路結(jié)構(gòu)示意圖。
圖中:100限壓電路、110第一齊納二極管、120第二齊納二極管、200控制電路、300限流電路。
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