[發明專利]一種基于p-n結光致磁阻傳感器的新方法有效
| 申請號： | 202010157452.6 | 申請日： | 2020-03-09 |
| 公開（公告）號： | CN111398879B | 公開（公告）日： | 2021-06-18 |
| 發明（設計）人： | 隋文波;楊德政;薛德勝;司明蘇 | 申請（專利權）人： | 蘭州大學 |
| 主分類號： | G01R33/09 | 分類號： | G01R33/09 |
| 代理公司： | 北京中譽威圣知識產權代理有限公司 11279 | 代理人： | 賈慧娜 |
| 地址： | 730014 甘肅*** | 國省代碼： | 甘肅;62 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 基于 結光致 磁阻 傳感器 新方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種基于p-n結光致磁阻傳感器的新方法,其特征在于包括如下步驟：
1)在n型硅基片上正反兩面注入p+和n+離子，形成Si(p+)/Si(n+)結構，利用激光束照射到p-n結的p+區域的側面，形成磁場，使得磁場垂直于光電流；
2)在開路光電壓VOC＝1.1V，短路光電流ISC＝50.0μA，施加光照射p-n結，在磁場H＝+2000Oe和H＝－2000Oe，產生不對稱的磁阻效應，當短路光電流ISC50.0μA時，磁阻的不對稱性大于當前的磁阻不對稱性，最后利用激光照射檢測p-n結的磁場修飾IV特性。
2.根據權利要求1所述的一種基于p-n結光致磁阻傳感器的新方法,其特征在于所述Si(p+)/Si(n+)結構的上下表面為銅電極，所述銅電極的表面含有至少4個靶，在靶的內側形成磁場回路，并與之前形成的磁場對靶進行噴射得到。
3.根據權利要求2所述的一種基于p-n結光致磁阻傳感器的新方法,其特征在于所述銅電極的厚度為40-60nm。
4.根據權利要求1所述的一種基于p-n結光致磁阻傳感器的新方法,其特征在于所述Si(p+)和Si(n+)的注入濃度分別為1014atom/cm3和1015atom/cm3。
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