[發明專利]光發電元件在審
| 申請號： | 202010156599.3 | 申請日： | 2016-12-27 |
| 公開（公告）號： | CN111508715A | 公開（公告）日： | 2020-08-07 |
| 發明（設計）人： | 小松信明;伊藤朋子 | 申請（專利權）人： | 國際先端技術綜合研究所株式會社 |
| 主分類號： | H01G9/20 | 分類號： | H01G9/20 |
| 代理公司： | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人： | 金世煜;李書慧 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 發電 元件 | ||
1.一種光發電元件，其特征在于，具有第一光發電層，
所述第一光發電層由平均長徑為100nm以下的二氧化硅微粒構成，
所述二氧化硅微粒配置于在高度方向具有凹凸的電荷交換層上。
2.一種光發電元件，其特征在于，具有第一光發電層，
所述第一光發電層由二氧化硅微粒構成，
所述二氧化硅微粒形成于在高度方向具有凹凸的第一導電膜的上面，配置于在高度方向具有凹凸的電荷交換層上。
3.根據權利要求1所述的光發電元件，其中，所述電荷交換層的高度方向的凹凸的凹部的凹處相對于凸部的凸處為50nm以上。
4.根據權利要求2所述的光發電元件，其中，所述第一導電膜的高度方向的凹凸的凹部的凹處相對于凸部的凸處為50nm以上。
5.一種光發電元件，其特征在于，在一個表面具有第一導電膜的第一基板和在一個表面具有第二導電膜的第二基板以第一導電膜與第二導電膜相互相對的方式配置，
在所述第二導電膜上配置有第二光發電層，
在所述第一導電膜上配置有電荷交換層，
在所述電荷交換層上配置有第一光發電層，
在所述第二光發電層與所述第一光發電層之間配置有電解質，
所述第一光發電層由平均長徑為100nm以下的二氧化硅微粒構成且所述二氧化硅微粒配置于在高度方向具有凹凸的電荷交換層上。
6.一種光發電元件，其特征在于，在一個表面具有第一導電膜的第一基板和在一個表面具有第二導電膜的第二基板以第一導電膜與第二導電膜相互相對的方式配置，
在所述第二導電膜上配置有第二光發電層，
在所述第一導電膜上配置有電荷交換層，
在所述電荷交換層上配置有第一光發電層，
在所述第二光發電層與所述第一光發電層之間配置有電解質，
所述第一光發電層由平均長徑為100nm以下的二氧化硅微粒構成，
所述二氧化硅微粒形成于在高度方向具有凹凸的第一導電膜的上面，配置于在高度方向具有凹凸的電荷交換層上。
7.根據權利要求5或6所述的光發電元件，其中，所述電荷交換層和/或所述第一導電膜具有凹部的凹處相對于凸部的凸處在高度方向具有50nm以上的高度的凹凸。
8.根據權利要求5或6所述的光發電元件，其中，所述二氧化硅微粒是在氫鹵酸中浸漬處理過的二氧化硅。
9.根據權利要求7所述的光發電元件，其中，所述二氧化硅微粒是在氫鹵酸中浸漬處理過的二氧化硅。
10.根據權利要求5或6所述的光發電元件，其中，所述第二光發電層為選自TiO2、SnO、ZnO、WO3、Nb2O5、In2O3、ZrO2、Ta2O5、TiSrO3中的物質。
11.根據權利要求10所述的光發電元件，其中，所述第二光發電層是使敏化色素擔載而成的。
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