[發明專利]一種新型磁敏感器件及其制備方法在審
| 申請號： | 202010156391.1 | 申請日： | 2020-03-09 |
| 公開（公告）號： | CN111341905A | 公開（公告）日： | 2020-06-26 |
| 發明（設計）人： | 仇志軍;楊強強 | 申請（專利權）人： | 蘇州巧云信息科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L41/47 | 分類號： | H01L41/47;H01L41/12 |
| 代理公司： | 北京潤川律師事務所 11643 | 代理人： | 張超;李保民 |
| 地址： | 215000 江蘇省蘇州市吳江區太湖新城*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 新型 敏感 器件 及其 制備 方法 | ||
1.一種新型磁敏感器件制備方法，其特征在于：包括以下步驟：
1)藍寶石襯底上生長高阻GaN緩沖層；
2)高阻GaN緩沖層上生長本征摻雜GaN層；
3)本征摻雜GaN層上選擇性沉積一層氧化鋁；
4)氧化鋁上生長一層磁性薄膜，并通光刻、刻蝕工藝形成球或柱型結構；
5)在無氧化鋁的本征摻雜GaN層區域上，淀積叉指金屬電極。
2.根據權利要求1所述的新型磁敏感器件制備方法，其特征在于：所述步驟1)中的高阻GaN緩沖層厚度為0.2μm～4μm。
3.根據權利要求1所述的新型磁敏感器件制備方法，其特征在于：所述步驟2)中的本征摻雜GaN層厚度為0.5μm～2μm。
4.根據權利要求1所述的新型磁敏感器件制備方法，其特征在于：所述步驟3)中的氧化鋁鈍化層厚度為20nm～200nm。
5.根據權利要求1所述的新型磁敏感器件制備方法，其特征在于：所述步驟4)中的磁性薄膜材料為鈷鐵硼(CoFeB)、釹鐵硼(NdFeB)、鎳鈷(NiCo)等磁性合金薄膜材料。
6.根據權利要求1所述的新型磁敏感器件制備方法，其特征在于：所述步驟4)中的球或柱型結構的直徑或厚度為100nm～500nm。
7.根據權利要求1所述的新型磁敏感器件制備方法，其特征在于：所述步驟5)中叉指金屬電極的輸入端和位于氧化鋁兩邊且以氧化鋁中心區域為對稱中心。
8.根據權利要求1-7之一所述的新型磁敏感器件制備方法制得的新型磁敏感器件，其特征在于，所述叉指金屬電極輸入端和輸出端之間的傳輸特性根據球型磁性材料周圍的磁場變化而改變。
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