[發明專利]電壓調整器

有效

• 申請號: 202010156305.7
• 申請日: 2020-03-09
• 公開（公告）號: CN111290461B
• 公開（公告）日: 2022-03-08
• 發明（設計）人: 邵博聞
• 申請（專利權）人: 上海華虹宏力半導體制造有限公司
• 主分類號: G05F1/56
• 分類號: G05F1/56
• 代理公司: 上海浦一知識產權代理有限公司 31211
• 代理人: 戴廣志

1.一種電壓調整器，其特征在于，所述電壓調整器包括:差動放大電路、反饋電路和電壓調整輸出電路；

所述電壓調整輸出電路包括第一PMOS管、第二PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管和電容；所述第一PMOS管和第二PMOS管的源極連接電源電壓端，所述第二PMOS管的柵極連接所述第二NMOS管的漏極和所述第一PMOS管的漏極，所述第二PMOS管的漏極連接所述第二NMOS管的源極、所述第一NMOS管的漏極和所述第三NMOS管的柵極；

所述第一NMOS管的源極接地，所述第三NMOS管的漏極連接電源電壓端，第三NMOS管的源極作為所述電壓調整器的輸出端；所述第一PMOS管的柵極連接第一偏置電壓端，所述第一NMOS管的柵極連接第二偏置電壓端，所述第二NMOS管的柵極連接所述電容的一端，所述電容的另一端接地；

所述反饋電路連接所述電壓調整器的輸出端；

所述差動放大電路包括對稱連接的第一差動支路和第二差動支路；所述第一差動支路包括相連的第一級聯放大器和第一有源負載，所述第二差動支路包括相連的第二級聯放大器和第二有源負載；

所述第一級聯放大器的輸入端連接參考電壓VREF，所述的第二級聯放大器的輸入端連接反饋電路的反饋端；所述第二級聯放大器和第二有源負載相連的節點作為所述差動放大電路的輸出端，用于輸出第一控制信號至電容的一端和第二NMOS管的柵極。

2.如權利要求1所述的電壓調整器，其特征在于，所述差動放大電路還包括尾電流源，所述尾電流源包括第八NMOS管，所述八NMOS管的漏極連接所述第一差動支路的源端和第二差動支路的源端；

所述第八NMOS管的源極接地，所述第八NMOS管的柵極連接所述第一NMOS管的柵極。

3.如權利要求2所述的電壓調整器，其特征在于，所述第一差動支路中的第一級聯放大器包括第四NMOS管和第五NMOS管；所述第四NMOS管的源極為所述第一差動支路的源端，所述第四NMOS管的柵極為所述第一級聯放大器的輸入端，所述第四NMOS管的漏極連接所述第五NMOS管的源極，第五NMOS管的柵極連接第三偏置電壓端。

4.如權利要求3所述的電壓調整器，其特征在于，所述第一有源負載包括第三PMOS管和第四PMOS管；

所述第三PMOS管的漏極和第四PMOS管的柵極均連接所述第五NMOS管的漏極，所述第三PMOS管的源極連接所述第四PMOS管的漏極，第四PMOS管的源極連接電源電壓端；

所述第三PMOS管的柵極連接第四偏置電壓端，所述第四PMOS管的柵極連接第一偏置電壓端。

5.如權利要求2所述的電壓調整器，其特征在于，所述第二差動支路中的第二級聯放大器包括第六NMOS管和第七NMOS管；所述第六NMOS管的源極為所述第二差動支路的源端，所述第六NMOS管的柵極為所述第二級聯放大器的輸入端，所述第六NMOS管的漏極連接所述第七NMOS管的源極，第七NMOS管的柵極連接第三偏置電壓端。

6.如權利要求5所述的電壓調整器，其特征在于，所述第二有源負載包括第五PMOS管和第六PMOS管；

所述第五PMOS管的漏極連接所述第七NMOS管的漏極，所述第五PMOS管的源極連接所述第六PMOS管的漏極，第六PMOS管的源極連接電源電壓端；

所述第五PMOS管的柵極連接第四偏置電壓端，所述第六PMOS管的柵極連接第一偏置電壓端；所述第五PMOS管的漏極為所述差動放大電路的輸出端。

7.如權利要求1所述的電壓調整器，其特征在于，所述反饋電路包括第一電阻和第二電阻，所述第一電阻的一端連接所述第三NMOS管的源極，第一電阻的另一端連接第二電阻的一端，所述第二電阻的另一端接地；

所述第一電阻與第二電阻相連的節點為所述反饋電路的反饋端。

8.如權利要求1所述的電壓調整器，其特征在于，第一級聯放大器和第二級聯放大器均為共源共柵放大器。