[發明專利]半導體元件及其制備方法

在審

• 申請號: 202010155794.4
• 申請日: 2020-03-09
• 公開（公告）號: CN112086433A
• 公開（公告）日: 2020-12-15
• 發明（設計）人: 蘇國輝
• 申請（專利權）人: 南亞科技股份有限公司
• 主分類號: H01L23/538
• 分類號: H01L23/538;H01L29/423;H01L21/768;H01L21/28
• 代理公司: 隆天知識產權代理有限公司 72003
• 代理人: 黃艷

1.一種半導體元件，包括：

一基層，具有一頂表面；

一主要圖案，具有一圖案頂表面以及一側壁，并配置在該基層的該頂表面上，其中該主要圖案具有一第一臨界尺寸；

多個處理區，位在該圖案頂表面上，并位在該基層的該頂表面通過該主要圖案而暴露的一部分上；以及

一次要圖案，配置在該主要圖案的該側壁上，其中該次要圖案具有一第二臨界尺寸，且該第二臨界尺寸小于該第一臨界尺寸。

2.如權利要求1所述的半導體元件，其中，該基層與該主要圖案包含硅。

3.如權利要求2所述的半導體元件，其中，該次要圖案包含二氧化硅。

4.如權利要求2所述的半導體元件，其中，該基層包括一硅基底。

5.如權利要求2所述的半導體元件，其中，該主要圖案包含多晶硅。

6.如權利要求1所述的半導體元件，其中，所述處理區包含離子植入損傷。

7.一種半導體元件，包括：

一基層，具有一頂表面；

多個處理區，位在該頂表面上，其中所述處理區具有一第一臨界尺寸，且每一處理區具有一邊緣；以及

一次要圖案，沿著位在該基層的該頂表面上的所述處理區的所述邊緣設置，其中該次要圖案具有一第二臨界尺寸，且該第二臨界尺寸小于該第一臨界尺寸。

8.如權利要求7所述的半導體元件，其中，該基層包含硅。

9.如權利要求8所述的半導體元件，其中，該基層包括一硅基底。

10.如權利要求8所述的半導體元件，其中，該次要圖案包含二氧化硅。

11.如權利要求7所述的半導體元件，其中，所述處理區包含離子植入損傷。

12.一種半導體元件的制備方法，其步驟包括：

形成一基層，該基層具有一頂表面；

在該基層的該頂表面上形成一主要圖案，該主要圖案具有一第一臨界尺寸，其中該主要圖案具有一圖案頂表面以及一側壁；

在該主要圖案的該圖案頂表面上以及在該基層的該頂表面通過該主要圖案而暴露的一部分上，形成多個處理區；以及

選擇地在所述處理區以外的該前述形成的結構的一部分上，形成一次要圖案。

13.如權利要求12所述的半導體元件的制備方法，還包括移除該基層通過該主要圖案以及該次要圖案而暴露的一部分的步驟。

14.如權利要求12所述的半導體元件的制備方法，還包括移除該主要圖案的步驟。

15.如權利要求14所述的半導體元件的制備方法，還包括移除該基層通過該次要圖案而暴露的一部分的步驟。

16.如權利要求12所述的半導體元件的制備方法，其中，形成該主要圖案的步驟包括化學氣相沉積。

17.如權利要求12所述的半導體元件的制備方法，其中，形成多個處理區的步驟包括離子植入，其中離子植入是損傷該主要圖案的該圖案頂表面以及該基層的該頂表面通過該主要圖案而暴露的該部分。

18.如權利要求12所述的半導體元件的制備方法，其中，該基層與該主要圖案包含硅，形成該次要圖案的步驟包括熱氧化。

19.如權利要求18所述的半導體元件的制備方法，其中，該基層包括一硅基底。

20.如權利要求18所述的半導體元件的制備方法，其中，該主要圖案包含多晶硅。