[發明專利]一種Si摻雜Inx

在審

• 申請號: 202010154956.2
• 申請日: 2020-03-06
• 公開（公告）號: CN111334751A
• 公開（公告）日: 2020-06-26
• 發明（設計）人: 王雪文;馬佳琪;段雨奇;吳朝科;黃仁靜;齊曉斐;翟春雪;趙武;鄧周虎
• 申請（專利權）人: 西北大學
• 主分類號: C23C14/06
• 分類號: C23C14/06;C23C14/35
• 代理公司: 廣州市紅荔專利代理有限公司 44214
• 代理人: 胡昌國

1.一種Si摻雜In_xAl_1-xN薄膜的制備方法：采用磁控濺射技術，其特征在于，包括以下步驟：

步驟一、選用Si(100)作為基片，對Si(100)基片進行超聲波清洗烘干后，傳送室真空室內；

步驟二、將金屬In靶、金屬Al靶、陶瓷Si₃N₄靶安裝于真空室靶位上；

步驟三、對真空室抽真空使得真空室內真空度降低到10^-4Pa以下；

步驟四、設置In_xAl_1-xN薄膜制備工藝參數，其中靶材與基片的距離設置為50mm，真空壓強設置為0.6pa，襯底溫度設置為600℃，Ar∶N₂的流量比設置為20∶10，Si3N4靶材功率設置為20-40W，In靶功率設置為70-110W，Al靶功率設置為200-300W，濺射時間設置為30min；

步驟五、濺射完畢后，停止加熱等待樣品冷卻后送至樣品室取樣。

2.根據權利要求1所述的Si摻雜In_xAl_1-xN薄膜的制備方法，其特征在于，Si(100)基片清洗步驟如下：

步驟一、將Si(100)基片片放入HF中，然后用去離子水清洗去除殘留的HF；

步驟二、將Si(100)基片放入裝有丙酮和四氯化碳混合溶液的燒杯中，超聲波震蕩30min，去除表面的有機物；

步驟三、重復步驟二后，將得到的Si(100)基片放在乙醇中清洗30min去除殘留溶液，然后用去離子水清洗干凈；

步驟四、重復步驟三兩次得到表面清潔的基片。

3.根據權利要求1所述的Si摻雜In_xAl_1-xN薄膜的制備方法，其特征在于，所述步驟四中Si₃N₄靶材功率設置為40W；

或者所述步驟四中In靶材功率設置為90W；

或者所述步驟四中Al靶材功率設置為300W；

或者所述步驟四中Si₃N₄靶材功率設置為40W、In靶材功率設置為90W、Al靶材功率設置為300W。