[發(fā)明專利]一種微波晶體管準(zhǔn)物理基統(tǒng)計(jì)模型參數(shù)提取方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202010154839.6 | 申請(qǐng)日: | 2020-03-06 |
| 公開(公告)號(hào): | CN111428437B | 公開(公告)日: | 2023-05-02 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 徐躍杭;毛書漫;吳韻秋;徐銳敏;延波 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 電子科技大學(xué) |
| 主分類號(hào): | G06F30/398 | 分類號(hào): | G06F30/398;G06F17/18;G06F17/16 |
| 代理公司: | 電子科技大學(xué)專利中心 51203 | 代理人: | 陳一鑫 |
| 地址: | 611731 四川省成*** | 國(guó)省代碼: | 四川;51 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說(shuō)明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 微波 晶體管 物理 統(tǒng)計(jì) 模型 參數(shù) 提取 方法 | ||
1.一種微波晶體管準(zhǔn)物理基統(tǒng)計(jì)模型參數(shù)提取方法,該方法包括:
步驟1:對(duì)多個(gè)批次微波晶體管管芯進(jìn)行DC-IV測(cè)試;
針對(duì)用于建立統(tǒng)計(jì)模型的多個(gè)批次微波晶體管芯,在室溫條件下進(jìn)行靜態(tài)直流特性測(cè)試,獲取每個(gè)微波晶體管管芯在不同柵極-源極電壓Vgs下,不同漏極-源極電壓Vds對(duì)應(yīng)的漏極-源極電流Ids;柵極-源極電壓Vgs從夾斷電壓掃描至0V,漏極-源極電壓Vds從0V掃描至最大可用漏極電壓即1/2的擊穿電壓;
步驟2:模型參數(shù)數(shù)據(jù)集獲取;
準(zhǔn)物理基統(tǒng)計(jì)模型為氮化鎵高電子遷移率晶體管準(zhǔn)物理基大信號(hào)模型,模型方程如下所示;
式中Imax為每個(gè)柵極-源極電壓Vgs下不同漏極-源極電壓Vds對(duì)應(yīng)的漏極-源極電流Ids的最大值,λ為溝道調(diào)制系數(shù),β為場(chǎng)速關(guān)系階數(shù),Ec為臨界電場(chǎng)強(qiáng)度,ls和ld為漏極與源極接入?yún)^(qū)長(zhǎng)度,lg為器件柵極長(zhǎng)度;ns為電子濃度,nsmax為最大電子面密度,Voff為夾斷電壓,α1,α2,α3,βn為擬合參數(shù);
完成模型參數(shù)提取步驟后,提取得到單個(gè)管芯對(duì)應(yīng)的一套完整的模型參數(shù)值和最大電子飽和速度vmax,勢(shì)壘層厚度d,以及臨界電場(chǎng)強(qiáng)度Ec模型對(duì)應(yīng)的擬合參數(shù)a0、a1、b0、b1和b2;對(duì)多個(gè)批次管芯中每個(gè)微波晶體管管芯重復(fù)進(jìn)行模型參數(shù)提取流程,獲取得到所有管芯對(duì)應(yīng)的模型參數(shù)數(shù)據(jù)集;對(duì)數(shù)據(jù)集中每個(gè)模型參數(shù)求取均值μi和標(biāo)準(zhǔn)差Qi,i表示對(duì)應(yīng)的第i個(gè)微波晶體管管芯;
步驟3:因子分析;
步驟3.1:模型參數(shù)標(biāo)準(zhǔn)化;
將模型參數(shù)數(shù)據(jù)集中各參數(shù)數(shù)據(jù)整理成矩陣的形式,如下式所示;數(shù)據(jù)集中包含k個(gè)模型參數(shù)則數(shù)據(jù)集矩陣列數(shù)為k,每個(gè)模型參數(shù)包含n個(gè)觀測(cè)值,即有n個(gè)微波晶體管管芯樣本;因此,矩陣的維度為n×k;
對(duì)原始模型參數(shù)數(shù)據(jù)集矩陣進(jìn)行標(biāo)準(zhǔn)化變換,得到標(biāo)準(zhǔn)化數(shù)據(jù)集矩陣X:
其中
式中xij對(duì)應(yīng)第j個(gè)模型參數(shù)的第i個(gè)樣本觀測(cè)值,xj為該模型參數(shù)的均值,sj為該模型參數(shù)的標(biāo)準(zhǔn)差;
步驟3.2:計(jì)算模型參數(shù)相關(guān)系數(shù)矩陣及其特征值;
基于標(biāo)準(zhǔn)化后的模型參數(shù)矩陣,采用式(6)計(jì)算相關(guān)系數(shù)矩陣R中的各元素;
根據(jù)計(jì)算得到的相關(guān)系數(shù)矩陣,計(jì)算得到特征值λi,i=1,2,…,k,并按從大到小的順序排列;
步驟3.3:確定主成分個(gè)數(shù)
通過計(jì)算得到的特征值,可以計(jì)算各主成分Fi的貢獻(xiàn)率和累計(jì)貢獻(xiàn)率;主成分Fi的貢獻(xiàn)率即為主成分Fi對(duì)應(yīng)的特征值λi在所有特征值中所占比重:
主成分Fi的貢獻(xiàn)率越大,表示Fi所包含的原始數(shù)據(jù)集中的信息越多;主成分Fi的累計(jì)貢獻(xiàn)率即為前i個(gè)主成分貢獻(xiàn)率之和,按照下式計(jì)算;
選取累計(jì)貢獻(xiàn)率最大的前p個(gè)主成分,或特征值大于等于1的前p個(gè)主成分;
步驟3.4:計(jì)算載荷系數(shù)與特殊因子方差;
對(duì)步驟3.2中所有特征值,計(jì)算對(duì)應(yīng)的特征向量l1,l2,…,lk,并將k個(gè)特征向量進(jìn)行歸一化,得到歸一化的特征列向量組合W=(W1,W2,…,Wk),通過A=WΛ計(jì)算因子模型載荷系數(shù)矩陣,Λ為對(duì)角陣;若各因子載荷系數(shù)的數(shù)值較平均,還需進(jìn)行因子旋轉(zhuǎn);計(jì)算前p個(gè)主成分的因子模型載荷系數(shù)矩陣;
特殊因子方差采用下式進(jìn)行計(jì)算方法為:
式中,σi為第i個(gè)模型參數(shù)的特殊因子標(biāo)準(zhǔn)差,Lij為該模型參數(shù)的第j個(gè)主成分對(duì)應(yīng)的因子模型載荷系數(shù);
步驟4:模型參數(shù)統(tǒng)計(jì)特性表征;
根據(jù)因子分析理論,采用由公共因子和特殊因子預(yù)測(cè)每個(gè)模型參數(shù),如下式所示:
其中Xi為Ids模型的任一參數(shù),μi和Qi為實(shí)測(cè)提取的Xi的均值和標(biāo)準(zhǔn)差;Lij為Xi在第j個(gè)主成分Fj上的因子模型載荷系數(shù);εi為Xi的特殊因子,并且服從均值為零和方差,公共因子相互獨(dú)立,并且均值為0,方差為1;
步驟5:準(zhǔn)物理基大信號(hào)統(tǒng)計(jì)模型;
將每個(gè)模型參數(shù)的統(tǒng)計(jì)分布特性代入傳統(tǒng)的器件大信號(hào)模型中得到完整的準(zhǔn)物理基統(tǒng)計(jì)模型;采用非線性諧波平衡法進(jìn)行模型求解計(jì)算,得到器件的大信號(hào)輸出特性。
2.如權(quán)利要求1所述的一種微波晶體管準(zhǔn)物理基統(tǒng)計(jì)模型參數(shù)提取方法,其特征在于步驟3.2中特征值λi的計(jì)算方法為,對(duì)于相關(guān)系數(shù)矩陣R,通過求解|R-λEk|=0得到的λi,i=1,2,3…,k;
其中E為k階單位矩陣;
|R-λEk|=0行列式對(duì)應(yīng)展開形式;
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