[發(fā)明專利]殺菌消毒LED制備工藝

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010154465.8
• 申請日: 2020-03-07
• 公開（公告）號: CN111326634A
• 公開（公告）日: 2020-06-23
• 發(fā)明（設計）人: 孫蕾蕾
• 申請（專利權）人: 孫蕾蕾
• 主分類號: H01L33/32
• 分類號: H01L33/32;H01L33/02;H01L33/00;A61L2/10
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

本發(fā)明提供了一種殺菌消毒LED制備工藝，包括提供一襯底，在所述襯底上依次形成緩沖層、第一半導體層、發(fā)光層、第二半導體層；通過在第一半導體層中形成第一氮化鎵層與第二氮化鎵層交替層疊的復合結構，形成第一氮化鎵層過程中生長速率逐漸升高，應力緩慢累積，位錯、缺陷密度慢慢增大，形成第二氮化鎵層過程中生長速率逐漸降低，應力逐步釋放，位錯、缺陷漸漸彌合，利用第一氮化鎵層與第二氮化鎵層兩種不同的漸變式生長速率來調節(jié)內部應力、位錯及缺陷，進而提高LED性能。

技術領域

本發(fā)明涉及半導體技術領域，具體涉及一種殺菌消毒LED制備工藝。

背景技術

LED(LightingEmittingDiode)即發(fā)光二極管，是一種半導體固體發(fā)光器件。它是利用固體半導體芯片作為發(fā)光材料，在半導體中通過載流子發(fā)生復合放出過剩的能量而引起光子發(fā)射，直接發(fā)出紅、黃、藍、綠色的光，在此基礎上，利用三基色原理，添加熒光粉，可以發(fā)出任意顏色的光。

深紫外LED憑借安全、環(huán)保、小巧、高效、低耗等性能優(yōu)勢被市場認可，在凈水器、母嬰產品、空調、冰箱及其他高端消費品等領域均已見端倪。深紫外線殺菌消毒原理是深紫外線能破壞微生物體內遺傳物質DNA或者RNA分子結構，導致細菌無法繁殖甚至失活，從而達到殺菌消毒的目的。

節(jié)能、壽命長、維護成本低，深紫外LED殺菌器正逐漸取代市場上普遍的汞燈紫外殺菌器，重要原因之一是紫外LED功耗較低，十分節(jié)能，深紫外LED功率大約是汞燈十分之一，這一比率大大節(jié)省了成本；體積小、設計靈活、安裝方便，深紫外LED器件，其殺菌裝置設計靈活，可以應用在傳統(tǒng)紫外汞燈無法應用的狹小空間。

外延作為制備深紫外LED最初一環(huán)對性能有著決定性的影響。現有工藝在制備深紫外LED依然存在諸多不足，如材料內部應力大等。

發(fā)明內容

本發(fā)明所要解決的技術問題在于提供一種殺菌消毒LED制備工藝，能夠有效提高LED性能。

本發(fā)明所要解決的技術問題采用以下技術方案來實現：

一種殺菌消毒LED制備工藝，包括：

提供一襯底；

在所述襯底上形成緩沖層；

在所述緩沖層上形成第一半導體層；

在所述第一半導體層上形成發(fā)光層；

在所述發(fā)光層上形成第二半導體層；

所述第一半導體層包括依次設置在所述緩沖層上的3D氮化鎵層、2D氮化鎵層、N型氮化鎵層，所述3D氮化鎵層、2D氮化鎵層、N型氮化鎵層至少其中之一為復合結構，所述復合結構由第一氮化鎵層與第二氮化鎵層交替層疊設置而成，所述第一氮化鎵層、第二氮化鎵層分別由第一生長階段、第二生長階段形成，所述第一生長階段生長速率逐漸升高，所述第二生長階段生長速率逐漸降低；所述發(fā)光層包括交替設置在所述第一半導體層上的多個發(fā)光壘層和多個發(fā)光阱層，所述發(fā)光壘層和所述發(fā)光阱層交替層疊設置，第一個發(fā)光壘層位于所述N型氮化鎵層上，所述第二半導體層位于最后一個發(fā)光壘層上，發(fā)光壘層數量比發(fā)光阱層數量多一個。

可選的，所述第一生長階段生長速率逐漸升高速率等于所述第二生長階段生長速率逐漸降低速率。

可選的，所述第一生長階段平均生長速率等于所述第二生長階段平均生長速率。

可選的，所述第一生長階段生長時間等于所述第二生長階段生長時間。

可選的，所述第一生長階段腔體壓力等于所述第二生長階段腔體壓力。

可選的，所述第一生長階段通入腔體氨氣流量等于所述第二生長階段通入腔體氨氣流量。

可選的，所述第一生長階段生長溫度逐漸升高，所述第二生長階段生長溫度逐漸降低。