[發明專利]一種重摻硼硅片雙次堿腐蝕加工工藝

在審

• 申請號: 202010154125.5
• 申請日: 2020-03-07
• 公開（公告）號: CN111341655A
• 公開（公告）日: 2020-06-26
• 發明（設計）人: 陳功;馬俊;徐一俊;黃笑容
• 申請（專利權）人: 浙江中晶科技股份有限公司
• 主分類號: H01L21/306
• 分類號: H01L21/306;H01L21/02;H01L21/67
• 代理公司: 湖州長興西木子知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 33325
• 代理人: 李開騰

1.一種重摻硼硅片雙次堿腐蝕加工工藝，其特征在于，包括以下步驟：

步驟一、初級堿腐蝕：置于質量比為1:3～1:1.2的KOH水溶液中腐蝕5～15s，初級腐蝕溫度為90～105℃；

步驟二、一次清洗：快速轉移并清洗去除硅片表面殘留的初級堿腐蝕液；

步驟三、二級堿腐蝕：置于質量比為1:1.5～1:1的KOH水溶液中腐蝕80～180s，二級腐蝕溫度為115～121℃；

步驟四、二次清洗：快速轉移并清洗去除硅片表面殘留的二級堿腐蝕液；

步驟五、甩干。

2.根據權利要求1所述的一種重摻硼硅片雙次堿腐蝕加工工藝，其特征在于，所述步驟一中，KOH與純水的質量比為1:3，初級腐蝕時間為15s，初級腐蝕溫度控制在90±2℃。

3.根據權利要求1所述的一種重摻硼硅片雙次堿腐蝕加工工藝，其特征在于，所述步驟三中，KOH與純水的質量比為1:1.22，二級腐蝕時間為90s，二級腐蝕溫度控制在119±2℃。

4.根據權利要求1所述的一種重摻硼硅片雙次堿腐蝕加工工藝，其特征在于，所述步驟一和步驟三中，在腐蝕過程進行間隔抖動，腐蝕完成后的轉移時間＜2s。

5.根據權利要求4所述的一種重摻硼硅片雙次堿腐蝕加工工藝，其特征在于，所述步驟一中的抖動頻率為3～5次/s，間隔1～2min抖動約10秒；所述步驟三中的抖動頻率為0.5～1次/s，間隔1～3min抖動10～20秒。

6.根據權利要求1所述的一種重摻硼硅片雙次堿腐蝕加工工藝，其特征在于，所述步驟二及步驟四中，一次清洗及二次清洗工序均依次包括快排水洗、HCL中和清洗以及快排水洗。

7.根據權利要求6所述的一種重摻硼硅片雙次堿腐蝕加工工藝，其特征在于，所述快排水洗工序采用去離子水預超洗20s，且在預超洗過程中進行鼓泡和噴灑。

8.根據權利要求6所述的一種重摻硼硅片雙次堿腐蝕加工工藝，其特征在于，所述HCL中和清洗工序采用HCL中和液浸泡，溫度控制為20～25℃，且在浸泡過程中進行間隔抖動。

9.根據權利要求8所述的一種重摻硼硅片雙次堿腐蝕加工工藝，其特征在于，所述HCL中和液為35％HCL與純水按體積比1:6～1:13的比例配制得到。

10.根據權利要求9所述的一種重摻硼硅片雙次堿腐蝕加工工藝，其特征在于，所述35％HCL與純水的體積比為1:7，溫度控制在23±2℃。