[發(fā)明專(zhuān)利]用于操作超結(jié)晶體管器件的方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202010153988.0 | 申請(qǐng)日： | 2020-03-06 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN111668216A | 公開(kāi)（公告）日： | 2020-09-15 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | H·韋伯;C·法赫曼;F·赫勒;M-A·庫(kù)查克;A·里格勒爾 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人： | 英飛凌科技奧地利有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào)： | H01L27/088 | 分類(lèi)號(hào)： | H01L27/088 |
| 代理公司： | 永新專(zhuān)利商標(biāo)代理有限公司 72002 | 代理人： | 鄔少俊 |
| 地址： | 奧地利*** | 國(guó)省代碼： | 暫無(wú)信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 用于 操作 結(jié)晶體 器件 方法 | ||
1.一種方法，包括：
在二極管狀態(tài)下操作超結(jié)晶體管器件，
其中，在所述二極管狀態(tài)下操作所述超結(jié)晶體管器件包括在所述晶體管器件的至少一個(gè)晶體管單元(10)的漂移區(qū)(11)和與所述漂移區(qū)(11)的摻雜類(lèi)型互補(bǔ)的摻雜類(lèi)型的補(bǔ)償區(qū)(21)之間施加不同于零的偏置電壓(VDEP)，
其中，所述補(bǔ)償區(qū)(21)鄰接所述漂移區(qū)(11)，并且
其中，所述偏置電壓(VDEP)的極性使得所述漂移區(qū)(11)和所述補(bǔ)償區(qū)(21)之間的pn結(jié)被反向偏置。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，
其中，所述補(bǔ)償區(qū)(21)與所述至少一個(gè)晶體管單元(10)的主體區(qū)(22)間隔開(kāi)，并且
其中，在所述補(bǔ)償區(qū)(21)和所述主體區(qū)(22)之間施加所述偏置電壓(VDEP)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，
其中，所述補(bǔ)償區(qū)(21)鄰接所述至少一個(gè)晶體管單元(10)的所述主體區(qū)(22)，
其中，在所述補(bǔ)償區(qū)(21)與偏置區(qū)(25)之間施加所述偏置電壓(VDEP)，
其中，所述偏置區(qū)(25)具有與所述補(bǔ)償區(qū)(21)相同的摻雜類(lèi)型，鄰接所述漂移區(qū)(11)，并且與所述主體區(qū)(22)間隔開(kāi)。
4.根據(jù)前述權(quán)利要求中的任一項(xiàng)所述的方法，
其中，在所述二極管狀態(tài)下操作所述晶體管器件還包括在源極節(jié)點(diǎn)(S)和漏極節(jié)點(diǎn)(D)之間施加電壓，以使得所述至少一個(gè)晶體管單元的所述主體區(qū)(22)和所述漂移區(qū)(11)之間的pn結(jié)被正向偏置。
5.根據(jù)前述權(quán)利要求中的任一項(xiàng)所述的方法，其中，所述晶體管器件具有電壓阻斷能力，并且其中，所述偏置電壓(VDEP)的幅值小于所述電壓阻斷能力的20％。
6.根據(jù)前述權(quán)利要求中的任一項(xiàng)所述的方法，
其中，施加所述偏置電壓(VDEP)包括通過(guò)偏置電壓源(6)提供所述偏置電壓(VDEP)并且閉合連接在所述偏置電壓源(6)與所述漂移區(qū)(11)和所述補(bǔ)償區(qū)(21)之一之間的第一開(kāi)關(guān)(5)。
7.根據(jù)前述權(quán)利要求中的任一項(xiàng)所述的方法，
其中，所述晶體管器件是集成在半導(dǎo)體主體(100)中的垂直晶體管器件，并且
其中，所述偏置電壓(VDEP)經(jīng)由布置在所述半導(dǎo)體主體(100)的第一表面(101)的頂部上的接觸部而連接在所述補(bǔ)償區(qū)(21)和所述漂移區(qū)(11)之間。
8.根據(jù)前述權(quán)利要求中的任一項(xiàng)所述的方法，還包括：
在所述二極管狀態(tài)下操作所述超結(jié)晶體管器件之前，在反向?qū)щ姞顟B(tài)下操作所述晶體管器件，其中，在所述反向?qū)щ姞顟B(tài)下操作所述超結(jié)晶體管器件包括：
向所述至少一個(gè)晶體管單元(10)的柵極電極(31)施加驅(qū)動(dòng)電勢(shì)，以使得在所述至少一個(gè)晶體管單元(10)的所述主體區(qū)(22)中存在導(dǎo)電溝道，以及
在所述主體區(qū)(22)和所述漂移區(qū)(11)之間施加電壓，在所述主體區(qū)(22)和所述漂移區(qū)(11)之間施加的所述電壓具有與在所述二極管狀態(tài)下的極性相同的極性。
9.根據(jù)前述權(quán)利要求中的任一項(xiàng)所述的方法，還包括：
在所述二極管狀態(tài)之后在阻斷狀態(tài)下操作所述超結(jié)晶體管器件，
其中，在所述阻斷狀態(tài)下操作所述超結(jié)晶體管器件包括向所述至少一個(gè)晶體管單元(10)的柵極電極(31)施加驅(qū)動(dòng)電勢(shì)，以使得所述至少一個(gè)晶體管單元(10)的所述主體區(qū)(22)中的導(dǎo)電溝道被中斷，以及
在所述主體區(qū)(22)和所述漂移區(qū)(11)之間施加電壓，在所述主體區(qū)(22)和所述漂移區(qū)(11)之間施加的所述電壓具有與所述二極管狀態(tài)下在所述主體區(qū)(22)和所述漂移區(qū)(11)之間的電壓的極性相反的極性。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類(lèi)目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無(wú)源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專(zhuān)門(mén)適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的；包括至少有一個(gè)躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的無(wú)源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射或者微粒子輻射并且專(zhuān)門(mén)適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的，或適用于通過(guò)這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專(zhuān)門(mén)適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的；包括有熱磁組件的
