[發明專利]半導體結構的形成方法

在審

• 申請號: 202010153286.2
• 申請日: 2020-03-06
• 公開（公告）號: CN113363207A
• 公開（公告）日: 2021-09-07
• 發明（設計）人: 楊鵬;張靜;渠匯;劉佳磊
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司
• 主分類號: H01L21/8234
• 分類號: H01L21/8234;H01L21/8238
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 徐文欣

1.一種半導體結構的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底包括第一區；

在所述述第一區上形成第一柵極結構、以及位于所述第一柵極結構頂部表面和側壁表面的初始第一側墻結構，所述初始第一側墻結構包括：位于所述第一柵極結構頂部表面和側壁表面的初始第一側墻、以及位于所述初始第一側墻表面的初始第二側墻，且所述初始第一側墻的材料和所述初始第二側墻的材料不同；

在所述基底上形成覆蓋所述初始第一側墻結構側壁表面的介質層，所述介質層頂部表面低于所述初始第一側墻結構頂部表面；

采用第一刻蝕工藝，去除高于所述介質層頂部表面的初始第二側墻，暴露出初始第一側墻的頂部表面和側壁表面，使所述初始第二側墻形成第二側墻；

采用第二刻蝕工藝，去除高于所述介質層頂部表面的初始第一側墻，使所述初始第一側墻形成第一側墻。

2.如權利要求1所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，所述第一柵極結構頂部表面具有掩膜結構以及位于掩膜結構頂部表面的交界層，所述初始第一側墻結構位于所述第一柵極結構、掩膜結構和交界層的側壁表面、以及所述交界層頂部表面。

3.如權利要求1所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，所述基底還包括：與第一區相鄰的第二區；所述半導體結構的形成方法還包括：在所述第二區上形成第二柵極結構、以及位于所述第二柵極結構頂部表面和側壁表面的初始第二側墻結構；所述介質層還位于所述第二區基底上，且所述介質層覆蓋所述初始第二側墻結構側壁表面，且介質層頂部表面低于所述初始第二側墻結構頂部表面。

4.如權利要求3所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，所述掩膜結構還位于所述第二柵極結構頂部表面；所述初始第二側墻結構位于所述第二柵極結構和掩膜結構側壁表面、以及掩膜結構的頂部表面。

5.如權利要求3所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，所述初始第二側墻結構包括：位于所述第二柵極結構側壁表面的初始第三側墻、以及位于所述初始第三側墻側壁表面和第二柵極結構頂部表面的初始第四側墻，且所述初始第三側墻的材料和所述初始第四側墻的材料不同。

6.如權利要求5所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，所述第一刻蝕工藝還去除高于介質層頂部表面的初始第四側墻，暴露出初始第三側墻的頂部表面和側壁表面，使所述初始第四側墻形成第四側墻；所述第二刻蝕工藝還去除高于所述介質層頂部表面的初始第三側墻，使所述初始第三側墻形成第三側墻。

7.如權利要求6所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，所述第一刻蝕工藝為各項同性的濕法工藝；所述第一刻蝕工藝對所述初始第二側墻的和初始第四側墻的刻蝕速率大于對初始第一側墻和初始第三側墻的刻蝕速率。

8.如權利要求7所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，所述初始第二側墻的材料為絕緣材料；所述初始第四側墻的材料為絕緣材料。

9.如權利要求8所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，所述絕緣材料包括：氧化硅、氮化硅、碳化硅、碳氮化硅、碳氮氧化硅、氮氧化硅、氮化硼或碳氮化硼。

10.如權利要求9所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，所述濕法刻蝕的參數包括：采用的刻蝕工藝為稀釋的磷酸溶液，且所述磷酸溶液和水的體積比為2:5～4:5。

11.如權利要求6所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，所述第二刻蝕工藝為各項同性的濕法工藝；所述第二刻蝕工藝對所述初始第一側墻和初始第三側墻的刻蝕速率大于對介質層的刻蝕速率。

12.如權利要求11所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，所述初始第一側墻的材料為低K介質材料；所述初始第三側墻的材料為低K介質材料。