[發明專利]半導體存儲器裝置和其制造方法

在審

• 申請號: 202010153271.6
• 申請日: 2020-03-06
• 公開（公告）號: CN112490249A
• 公開（公告）日: 2021-03-12
• 發明（設計）人: 松田徹
• 申請（專利權）人: 鎧俠股份有限公司
• 主分類號: H01L27/11563
• 分類號: H01L27/11563;H01L27/1157;H01L27/11582;G11C5/02;G11C5/06
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 張世俊

1.一種半導體存儲器裝置，其包括：

襯底，所述襯底包含第一區域和第二區域，所述第一區域包含存儲器格(cell)晶體管，所述第二區域在第一方向上與所述第一區域相鄰并且包含在與所述第一方向相交的第二方向上對齊的第一到第三子區域；

第一絕緣構件和第二絕緣構件，所述第一絕緣構件和所述第二絕緣構件各自沿所述第一方向跨所述第一區域和所述第二區域設置，并且包含在所述第二方向上插入所述第一到第三子區域的部分；

第一導電層，所述第一導電層設置在所述襯底上方的第一層中以沿所述第一方向跨所述第一絕緣構件與所述第二絕緣構件之間的所述第一區域和所述第二區域延伸；

多個第一柱，所述多個第一柱設置在所述第一區域中以穿透所述第一導電層；

第一絕緣層，所述第一絕緣層設置在所述第二子區域中的所述第一層中并被跨所述第二區域在所述第一層中延伸的所述第一導電層的一部分包圍；

第一觸點，所述第一觸點被設置成穿透所述第一絕緣層；

多個第一構件，所述多個第一構件各自包含沿所述第一方向延伸的部分，并且被設置成穿透所述第一子區域中的所述第一導電層；以及

多個第二構件，所述多個第二構件各自包含沿所述第一方向延伸的部分，并且被設置成穿透所述第三子區域中的所述第一導電層，其中

所述第一構件和所述第二構件兩者布置的方式使得在從所述第二子區域的一側計數的第n行和第(n+1)行中在所述第二方向上對齊的所述第一構件和所述第二構件在所述第一方向上移位，其中n是不小于1的整數，并且

在所述第二方向上彼此相鄰的所述第一構件和在所述第二方向上彼此相鄰的所述第二構件兩者布置的方式使得在所述第一方向上延伸的部分面對彼此。

2.根據權利要求1所述的半導體存儲器裝置，其中

在從所述第二子區域的所述側計數的奇數行和偶數行中在所述第二方向上對齊的所述第一構件和所述第二構件以交替的方式布置。

3.根據權利要求1所述的半導體存儲器裝置，其中

所述第一子區域包含多個第一面對部分，所述多個第一面對部分面對包含于在所述第二方向上彼此相鄰的所述第一構件中并且在所述第一方向上延伸的部分，

所述第三子區域包含多個第二面對部分，所述多個第二面對部分面對包含于在所述第二方向上彼此相鄰的所述第二構件中并且在所述第一方向上延伸的部分，

所述第一面對部分在所述第一方向上的長度之和等于或大于所述第二子區域在所述第二方向上的寬度的一半，所述第一面對部分包含在從所述第一絕緣構件引導、穿過所述第一構件所布置的區域、繞過所述第一構件并到達所述第二子區域的最短路徑中，并且

所述第二面對部分在所述第一方向上的長度之和等于或大于所述第二子區域在所述第二方向上的寬度的一半，所述第二面對部分包含在從所述第二絕緣構件引導、穿過所述第二構件所布置的區域、繞過所述第二構件并到達所述第二子區域的最短路徑中。

4.根據權利要求1所述的半導體存儲器裝置，其中

從所述第一絕緣構件引導、穿過所述第一構件在所述第一子區域中布置的區域、繞過所述第一構件并到達所述第二子區域的最短路徑比從所述第一絕緣構件引導、穿過所述第一柱在所述第一區域中布置的區域、繞過所述第一柱并在所述第二方向上到達所述第一絕緣構件與所述第二絕緣構件之間的中間位置的最短路徑長。

5.根據權利要求1所述的半導體存儲器裝置，其中

在所述第n行或所述第(n+1)行中，所述第一構件包含兩個第一構件，所述兩個第一構件在所述第一方向上彼此相鄰并且布置的方式使得定位于所述兩個相鄰第一構件之間的部分在所述第二方向上與所述第一觸點對齊。

6.根據權利要求1所述的半導體存儲器裝置，其中

從所述第一絕緣構件引導、穿過所述第一構件在所述第一子區域中布置的區域、繞過所述第一構件并到達所述第二子區域的最短路徑基本上等于從所述第二絕緣構件引導、穿過所述第二構件在所述第三子區域中布置的區域、繞過所述二構件并到達所述第二子區域的最短路徑。