[發(fā)明專利]樹脂密封裝置和樹脂密封方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010151886.5 | 申請日: | 2020-03-06 |
| 公開(公告)號: | CN111799187A | 公開(公告)日: | 2020-10-20 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 石井正明 | 申請(專利權(quán))人: | 朝日科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/56 | 分類號: | H01L21/56;H01L21/54;B29C45/56;B29C45/14 |
| 代理公司: | 北京林達(dá)劉知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 劉新宇;張會(huì)華 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 樹脂 密封 裝置 方法 | ||
1.一種樹脂密封裝置,該樹脂密封裝置利用第一模具和第二模具夾持成型對象,該成型對象是通過在基板的表面借助連接電極以倒裝芯片的方式連接半導(dǎo)體芯片所做成的,將密封樹脂注入到包含所述基板的表面與所述半導(dǎo)體芯片的連接面之間的間隙部分在內(nèi)的模腔凹部,來進(jìn)行樹脂密封成型,其中,
該樹脂密封裝置具有:
進(jìn)退構(gòu)件,其能夠朝向所述基板的表面進(jìn)入到所述模腔凹部內(nèi)并從所述模腔凹部內(nèi)退回,該進(jìn)退構(gòu)件將所述半導(dǎo)體芯片的側(cè)面整周的至少一部分圍起來;及
控制部,該控制部在使所述進(jìn)退構(gòu)件向所述模腔凹部內(nèi)進(jìn)入至所述半導(dǎo)體芯片的連接面的位置的狀態(tài)下,向所述模腔凹部注入所述密封樹脂,將所述密封樹脂填充到所述基板的表面與所述半導(dǎo)體芯片的連接面之間的間隙部分以及所述基板的表面與所述進(jìn)退構(gòu)件之間的間隙部分,之后使所述進(jìn)退構(gòu)件從所述模腔凹部內(nèi)退回,并向所述半導(dǎo)體芯片的側(cè)面整周填充所述密封樹脂。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的樹脂密封裝置,其中,
從所述進(jìn)退構(gòu)件的進(jìn)退方向來看時(shí)的所述進(jìn)退構(gòu)件的外周角部和所述模腔凹部的內(nèi)周角部都為曲面。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的樹脂密封裝置,其中,
從所述基板的表面?zhèn)葋砜矗鲞M(jìn)退構(gòu)件呈將所述半導(dǎo)體芯片的側(cè)面整周的全部都圍起來的大致日文假名ロ字形狀。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的樹脂密封裝置,其中,
從所述基板的表面?zhèn)葋砜矗鲞M(jìn)退構(gòu)件呈將所述半導(dǎo)體芯片的側(cè)面整周的除了澆口側(cè)部分之外的部分圍起來的大致日文假名コ字形狀。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的樹脂密封裝置,其中,
從所述基板的表面?zhèn)葋砜矗鲞M(jìn)退構(gòu)件呈將所述半導(dǎo)體芯片的側(cè)面整周的除了通氣孔側(cè)部分之外的部分圍起來的大致反コ字形狀。
6.根據(jù)權(quán)利要求1~5中任一項(xiàng)所述的樹脂密封裝置,其中,
從所述基板的表面?zhèn)葋砜矗鲞M(jìn)退構(gòu)件被分割成多個(gè)部分,
所述控制部單獨(dú)控制所述進(jìn)退構(gòu)件的多個(gè)部分的進(jìn)退。
7.一種樹脂密封方法,在該樹脂密封方法中,利用第一模具和第二模具夾持成型對象,該成型對象是通過在基板的表面借助連接電極以倒裝芯片的方式連接半導(dǎo)體芯片所做成的,將密封樹脂注入到包含所述基板的表面與所述半導(dǎo)體芯片的連接面之間的間隙部分在內(nèi)的模腔凹部,來進(jìn)行樹脂密封成型,其中,
該樹脂密封方法包括:
使進(jìn)退構(gòu)件向所述模腔凹部內(nèi)進(jìn)入至所述半導(dǎo)體芯片的連接面的位置,向所述模腔凹部注入所述密封樹脂,將所述密封樹脂填充到所述基板的表面與所述半導(dǎo)體芯片的連接面之間的間隙部分以及所述基板的表面與所述進(jìn)退構(gòu)件之間的間隙部分,其中,該進(jìn)退構(gòu)件能夠朝向所述基板的表面進(jìn)入到所述模腔凹部內(nèi)并從所述模腔凹部內(nèi)退回,該進(jìn)退構(gòu)件將所述半導(dǎo)體芯片的側(cè)面整周的至少一部分圍起來;以及
使所述進(jìn)退構(gòu)件從所述模腔凹部內(nèi)退回,并向所述半導(dǎo)體芯片的側(cè)面整周填充所述密封樹脂。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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