[發明專利]接合系統和接合方法在審
| 申請號: | 202010151883.1 | 申請日: | 2020-03-06 |
| 公開(公告)號: | CN111696858A | 公開(公告)日: | 2020-09-22 |
| 發明(設計)人: | 三村勇之;前田浩史;西村理志 | 申請(專利權)人: | 東京毅力科創株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/18 | 分類號: | H01L21/18 |
| 代理公司: | 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 劉新宇;張會華 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 接合 系統 方法 | ||
本發明提供一種接合系統和接合方法,能夠抑制在接合時在第1基板與第2基板之間產生空隙。一種接合系統,其具備:表面改性裝置,其對第1基板的接合面和第2基板的接合面進行改性;表面親水化裝置,其對所述第1基板的進行所述改性后的所述接合面和所述第2基板的進行所述改性后的所述接合面進行親水化;接合裝置,其使所述第1基板的進行所述親水化后的所述接合面與所述第2基板的進行所述親水化后的所述接合面相對并接合;以及清洗裝置,其在進行所述接合之前清洗所述第1基板和所述第2基板中的至少在接合時被平坦地保持的基板的與所述接合面相反的一側的非接合面。
技術領域
本公開涉及一種接合系統和接合方法。
背景技術
專利文獻1所記載的接合系統具備:表面改性裝置,其對基板的要被接合的表面進行改性;表面親水化裝置,其對基板的由該表面改性裝置改性后的表面進行親水化;以及接合裝置,其將表面被該表面親水化裝置親水化后的基板彼此接合。在該接合系統中,在表面改性裝置中對基板的表面進行等離子體處理并對該表面進行了改性之后,在表面親水化裝置中向基板的表面供給純水而對該表面進行親水化。之后,在接合裝置中,利用范德華力和氫鍵結合來接合相對配置的兩張基板。
專利文獻1:日本特開2012-175043號公報
發明內容
本公開的一形態提供能夠抑制在接合時在第1基板與第2基板之間產生空隙的技術。
本公開的一形態的接合系統具備:
表面改性裝置,其對第1基板的接合面和第2基板的接合面進行改性;
表面親水化裝置,其對所述第1基板的進行所述改性后的所述接合面和所述第2基板的進行所述改性后的所述接合面進行親水化;
接合裝置,其使所述第1基板的進行所述親水化后的所述接合面與所述第2基板的進行所述親水化后的所述接合面相對并接合;以及
清洗裝置,其在進行所述接合之前清洗所述第1基板和所述第2基板中的至少在接合時被平坦地保持的基板的與所述接合面相反的一側的非接合面。
根據本公開的一形態,能夠抑制在接合時在第1基板與第2基板之間產生空隙。
附圖說明
圖1是表示一實施方式的接合系統的俯視圖。
圖2是表示一實施方式的接合系統的主視圖。
圖3是將一實施方式的重合基板分離成第1基板和第2基板來表示的側視圖。
圖4是表示一實施方式的第2基板的制造過程的圖。
圖5是表示一實施方式的第2基板的由支承部支承的部位的圖。
圖6是表示在以往形態的接合時在第1基板與第2基板之間產生的空隙的圖。
圖7是表示一實施方式的清洗裝置的俯視圖。
圖8是表示一實施方式的第2保持部和清洗頭部的主視圖。
圖9是表示一實施方式的清洗頭部的立體圖。
圖10是表示一實施方式的檢查裝置的圖。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





