[發(fā)明專(zhuān)利]半導(dǎo)體模塊和具備該半導(dǎo)體模塊的半導(dǎo)體裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010150901.4
• 申請(qǐng)日: 2020-03-05
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN111668165B
• 公開(kāi)（公告）日: 2023-08-01
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 川島崇功
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 株式會(huì)社電裝
• 主分類(lèi)號(hào): H01L23/14
• 分類(lèi)號(hào): H01L23/14;H01L23/31;H01L23/367;H01L25/07
• 代理公司: 中國(guó)貿(mào)促會(huì)專(zhuān)利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 11038
• 代理人: 李今子

本發(fā)明提供半導(dǎo)體模塊和具備該半導(dǎo)體模塊的半導(dǎo)體裝置。本說(shuō)明書(shū)公開(kāi)的半導(dǎo)體模塊具備：第1半導(dǎo)體元件；密封體，對(duì)第1半導(dǎo)體元件進(jìn)行密封；以及第1層疊基板，配置有第1半導(dǎo)體元件，第1層疊基板具有第1絕緣基板、位于第1絕緣基板的一方側(cè)的第1內(nèi)側(cè)導(dǎo)體層以及位于第1絕緣基板的另一方側(cè)的第1外側(cè)導(dǎo)體層，第1內(nèi)側(cè)導(dǎo)體層在密封體的內(nèi)部與第1半導(dǎo)體元件電連接，并且該第1內(nèi)側(cè)導(dǎo)體層的一部分位于密封體的外部，構(gòu)成為外部的部件能夠接合到該一部分。

技術(shù)領(lǐng)域

本說(shuō)明書(shū)公開(kāi)的技術(shù)涉及半導(dǎo)體模塊和具備該半導(dǎo)體模塊的半導(dǎo)體裝置。

背景技術(shù)

在日本特開(kāi)2008-41752號(hào)公報(bào)中公開(kāi)了半導(dǎo)體模塊。該半導(dǎo)體模塊具備半導(dǎo)體元件、對(duì)半導(dǎo)體元件進(jìn)行密封的密封體以及配置有半導(dǎo)體元件的層疊基板。層疊基板具有絕緣基板、位于絕緣基板的一方側(cè)的內(nèi)側(cè)導(dǎo)體層以及位于絕緣基板的另一方側(cè)的外側(cè)導(dǎo)體層。

發(fā)明內(nèi)容

在上述半導(dǎo)體模塊中，為了與外部的部件(例如匯流條、電路基板)電連接，還設(shè)置有引線。引線在密封體的內(nèi)部與半導(dǎo)體元件電連接，并且從密封體朝向外部突出。以往，在利用密封體對(duì)半導(dǎo)體元件進(jìn)行密封而成的半導(dǎo)體模塊中，這樣的引線不可欠缺。相對(duì)于此，本說(shuō)明書(shū)提供不需要這樣的引線，能夠簡(jiǎn)化半導(dǎo)體模塊的結(jié)構(gòu)的技術(shù)。

本說(shuō)明書(shū)公開(kāi)一種半導(dǎo)體模塊，具有：第1半導(dǎo)體元件；密封體，對(duì)第1半導(dǎo)體元件進(jìn)行密封；以及第1層疊基板，配置有第1半導(dǎo)體元件，第1層疊基板具有第1絕緣基板、位于第1絕緣基板的一方側(cè)的第1內(nèi)側(cè)導(dǎo)體層以及位于第1絕緣基板的另一方側(cè)的第1外側(cè)導(dǎo)體層，第1內(nèi)側(cè)導(dǎo)體層在密封體的內(nèi)部與第1半導(dǎo)體元件電連接，并且該第1內(nèi)側(cè)導(dǎo)體層的一部分位于密封體的外部，構(gòu)成為外部的部件能夠接合到該一部分。

在上述半導(dǎo)體模塊中，第1內(nèi)側(cè)導(dǎo)體層的一部分位于密封體的外部，構(gòu)成為外部的部件能夠接合到該一部分。由此，無(wú)需經(jīng)由例如引線，而能夠?qū)⒌?內(nèi)側(cè)導(dǎo)體層直接接合到外部的部件(例如匯流條、電路基板)。引線并不一定必須，所以能夠比較簡(jiǎn)化半導(dǎo)體模塊的結(jié)構(gòu)。

附圖說(shuō)明

圖1是示出實(shí)施例1的半導(dǎo)體裝置10的結(jié)構(gòu)的示意圖。其中，為了明確地示出半導(dǎo)體模塊20的電連接以及內(nèi)部構(gòu)造，省略冷卻器4、密封體18以及外側(cè)導(dǎo)體層26、32的圖示。另外，用虛線圖示第2內(nèi)側(cè)導(dǎo)體層30以及第2絕緣基板28。而且，對(duì)各結(jié)構(gòu)部件之間的接合部位附加點(diǎn)。這些方面在圖4、圖7、圖8中也是同樣的。

圖2是示出半導(dǎo)體裝置10的結(jié)構(gòu)的電路圖。

圖3是示出半導(dǎo)體裝置10的內(nèi)部構(gòu)造的剖面圖。

圖4是示出半導(dǎo)體裝置10的內(nèi)部構(gòu)造的底面圖。

圖5是示出第1內(nèi)側(cè)導(dǎo)體層24的外側(cè)部分區(qū)域40b、42b、50b的一個(gè)變形例的剖面圖。

圖6是示出第1內(nèi)側(cè)導(dǎo)體層24的外側(cè)部分區(qū)域40b、42b、50b的另一變形例的剖面圖。

圖7是示出第1內(nèi)側(cè)導(dǎo)體層24的外側(cè)部分區(qū)域40b、42b、50b的另一變形例的底面圖。

圖8是示出信號(hào)電極12d以及第1內(nèi)側(cè)導(dǎo)體層24的信號(hào)電路區(qū)域50的其他結(jié)構(gòu)的底面圖。

圖9是示出實(shí)施例2的半導(dǎo)體裝置100的結(jié)構(gòu)的示意圖。其中，為了明確地示出半導(dǎo)體模塊120的電連接以及內(nèi)部構(gòu)造，省略冷卻器4、密封體18以及外側(cè)導(dǎo)體層26、32的圖示。另外，用虛線圖示第2內(nèi)側(cè)導(dǎo)體層130以及第2絕緣基板28。而且，對(duì)各結(jié)構(gòu)部件之間的接合部位附加點(diǎn)。這些方面在圖11中也是同樣的。

圖10是示出半導(dǎo)體裝置100的結(jié)構(gòu)的電路圖。

圖11是示出半導(dǎo)體裝置100的內(nèi)部構(gòu)造的底面圖。

圖12是示出半導(dǎo)體模塊20的變形例1(半導(dǎo)體模塊60)的內(nèi)部構(gòu)造的剖面圖。