[發明專利]一種可改善n型歐姆接觸的深紫外LED外延片在審
| 申請號： | 202010150814.9 | 申請日： | 2020-03-06 |
| 公開（公告）號： | CN111244234A | 公開（公告）日： | 2020-06-05 |
| 發明（設計）人： | 崔志勇;張曉娜;張向鵬 | 申請（專利權）人： | 山西中科潞安紫外光電科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/02 | 分類號： | H01L33/02;H01L33/12;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京和信華成知識產權代理事務所(普通合伙) 11390 | 代理人： | 郝亮 |
| 地址： | 046000 山西*** | 國省代碼： | 山西;14 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 改善 歐姆 接觸 深紫 led 外延 | ||
【權利要求書】：
1.一種可改善N型歐姆接觸的深紫外LED外延片，其特征在于，所述外延片包括：
襯底；
AlN/AlGaN超晶格應力緩沖層，形成在所述襯底上；
N極半導體層，所述N極半導體層包括第一n-AlGaN層、n-GaN層以及第二n-AlGaN層；所述第一n-AlGaN層、n-GaN層和第二n-AlGaN層從所述超晶格應力緩沖層向上依次設置。
2.根據權利要求1所述的一種可改善N型歐姆接觸的深紫外LED外延片，其特征在于，所述襯底和所述AlN/AlGaN超晶格應力緩沖層之間形成有氮化鋁模板層。
3.根據權利要求1和2所述的一種可改善N型歐姆接觸的深紫外LED外延片，其特征在于，在所述第二n-AlGaN層上形成有多量子肼結構層。
4.根據權利要求3所述的一種可改善N型歐姆接觸的深紫外LED外延片，其特征在于，在多量子肼結構層上依次形成p型AlGaN電子阻擋層；在p型AlGaN電子阻擋層上形成p型GaN空穴傳導層。
5.一種可改善深紫外LED外延片N型歐姆接觸的方法，其特征在于，所述方法制造如權利要求1-4中任一項所述的深紫外LED外延片；所述第一n-AlGaN層、n-GaN層和第二n-AlGaN層從所述超晶格應力緩沖層向上依次形成。
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