[發(fā)明專利]軸向磁通電機(jī)組件及其組裝方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010150765.9
• 申請(qǐng)日: 2020-03-06
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN111669006A
• 公開(kāi)（公告）日: 2020-09-15
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: P·S·穆林;L·T·麥克爾霍斯
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 雷勃美國(guó)公司
• 主分類(lèi)號(hào): H02K15/02
• 分類(lèi)號(hào): H02K15/02;H02K1/22;H02K1/28
• 代理公司: 北京市中咨律師事務(wù)所 11247
• 代理人: 冷妮;吳鵬

1.一種組裝電機(jī)的方法，所述方法包括：

將轉(zhuǎn)子轂聯(lián)接到轉(zhuǎn)子盤(pán)以形成轉(zhuǎn)子組件；

在第一位置處將所述轉(zhuǎn)子轂可滑動(dòng)地聯(lián)接到軸；

將定子組件聯(lián)接到所述軸，以在所述定子組件與所述轉(zhuǎn)子組件之間限定第一軸向間隙；以及

使所述轉(zhuǎn)子組件沿著所述軸滑動(dòng)到第二位置，以在所述定子組件與所述轉(zhuǎn)子組件之間限定第二軸向間隙，其中，所述第二位置是基于當(dāng)所述轉(zhuǎn)子組件處于該第二位置時(shí)測(cè)定的所述電機(jī)的反EMF常數(shù)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，使所述轉(zhuǎn)子組件滑動(dòng)包括：使所述轉(zhuǎn)子組件滑動(dòng)以使得所述第二軸向間隙小于所述第一軸向間隙。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，還包括：在使所述轉(zhuǎn)子組件滑動(dòng)到所述第二位置之前將至少一個(gè)軸承組件聯(lián)接到所述軸。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，還包括：將至少一個(gè)磁體聯(lián)接到所述轉(zhuǎn)子盤(pán)，其中，在所述至少一個(gè)磁體與所述定子組件之間限定所述第一軸向間隙和第二軸向間隙。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，使所述轉(zhuǎn)子組件滑動(dòng)包括：使所述轉(zhuǎn)子組件滑動(dòng)以使得所述第一軸向間隙在大約3.0mm至5.0mm之間的范圍內(nèi)。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，使所述轉(zhuǎn)子組件滑動(dòng)包括：使所述轉(zhuǎn)子組件滑動(dòng)以使得所述第二軸向間隙在大約2.4mm至2.8mm之間的范圍內(nèi)。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，還包括：使所述轉(zhuǎn)子組件在處于所述第一位置時(shí)動(dòng)態(tài)地平衡。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，使所述轉(zhuǎn)子組件滑動(dòng)至所述第二位置包括：使所述轉(zhuǎn)子組件從所述第一位置沿著所述軸滑動(dòng)，直到測(cè)定的反EMF常數(shù)基本上等于預(yù)定的反EMF常數(shù)。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，使所述轉(zhuǎn)子組件滑動(dòng)到所述第二位置包括：

當(dāng)所述轉(zhuǎn)子組件處于所述第一位置時(shí)測(cè)量所述電機(jī)的反EMF常數(shù)；

將在第一位置處測(cè)定的反EMF常數(shù)與預(yù)定的期望反EMF常數(shù)進(jìn)行比較；

將所述轉(zhuǎn)子組件沿著所述軸調(diào)節(jié)或滑動(dòng)到所述第二位置；以及

當(dāng)所述轉(zhuǎn)子組件處于所述第二位置時(shí)，測(cè)量所述電機(jī)的反EMF常數(shù)。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中，在所述第一位置處測(cè)定的反EMF常數(shù)與所述預(yù)定的期望反EMF常數(shù)不同。

11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中，在所述第二位置處測(cè)定的反EMF常數(shù)基本上等于所述預(yù)定的期望反EMF常數(shù)。

12.一種組裝電機(jī)的方法，所述方法包括：

將轉(zhuǎn)子轂聯(lián)接到轉(zhuǎn)子盤(pán)以形成轉(zhuǎn)子組件；

在第一位置處將所述轉(zhuǎn)子轂可滑動(dòng)地聯(lián)接到帶有軸向滾花的軸；

在所述轉(zhuǎn)子組件附近將定子組件聯(lián)接到所述軸；

當(dāng)所述轉(zhuǎn)子組件處于所述第一位置時(shí)，測(cè)量所述電機(jī)的反EMF常數(shù)；以及

使所述轉(zhuǎn)子組件沿著所述軸滑動(dòng)到第二位置，其中在所述第二位置處測(cè)定的反EMF常數(shù)基本上等于預(yù)定的反EMF常數(shù)。

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中，聯(lián)接所述定子組件包括：聯(lián)接所述定子組件以在所述定子組件與處于所述第一位置的所述轉(zhuǎn)子組件之間限定第一軸向間隙，并且其中，使所述轉(zhuǎn)子組件滑動(dòng)包括：使所述轉(zhuǎn)子組件滑動(dòng)以在所述定子組件與所述轉(zhuǎn)子組件之間限定第二軸向間隙。

14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，還包括：將在所述第一位置處測(cè)定的反EMF常數(shù)與所述預(yù)定的期望反EMF常數(shù)進(jìn)行比較，其中，在所述第一位置處測(cè)定的反EMF常數(shù)與所述預(yù)定的期望反EMF常數(shù)不同。