[發明專利]阻變式存儲器以及阻變式存儲器的制造方法在審
| 申請號： | 202010150656.7 | 申請日： | 2020-03-06 |
| 公開（公告）號： | CN111384239A | 公開（公告）日： | 2020-07-07 |
| 發明（設計）人： | 康賜俊;沈鼎瀛;劉宇;邱泰瑋;王丹云 | 申請（專利權）人： | 廈門半導體工業技術研發有限公司 |
| 主分類號： | H01L45/00 | 分類號： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京樂知新創知識產權代理事務所(普通合伙) 11734 | 代理人： | 張洋 |
| 地址： | 361008 福建省廈門市軟件*** | 國省代碼： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 阻變式 存儲器 以及 制造 方法 | ||
1.一種阻變式存儲器，其特征在于，包括頂電極、底電極層和阻變層，所述阻變層夾設在所述頂電極和底電極層之間，所述阻變層為金屬氧化物層或固態電解質層，所述底電極層包括底電極本體和介電層，所述底電極本體呈錐形，所述錐形的尖端朝向所述阻變層并位于設定位置處，所述介電層包覆所述底電極本體以支撐所述阻變層。
2.根據權利要求1所述的阻變式存儲器，其特征在于，所述底電極本體為多個，多個所述底電極本體沿設定方向間隔排列，相鄰兩個所述底電極本體之間具有設定距離。
3.根據權利要求1所述的阻變式存儲器，其特征在于，所述底電極本體為氮化鈦材質。
4.根據權利要求1所述的阻變式存儲器，其特征在于，所述頂電極為氮化鈦材質。
5.根據權利要求1所述的阻變式存儲器，其特征在于，所述阻變層為二氧化鉿材質。
6.根據權利要求1所述的阻變式存儲器，其特征在于，所述介電層為二氧化硅材質。
7.一種阻變式存儲器的制造方法，其特征在于，包括：
在襯底層上沉積形成待加工層；
對所述待加工層進行刻蝕以形成錐形的底電極本體，并使所述錐形的尖端背向所述襯底層且位于設定位置處；
在所述襯底層上沉積介電層，并使所述介電層包覆所述底電極本體以形成底電極層；
在底電極層上沉積形成阻變層，所述阻變層為金屬氧化物層或固態電解質層；
在所述阻變層上沉積形成頂電極。
8.根據權利要求7所述的阻變式存儲器的制造方法，其特征在于，對所述待加工層進行刻蝕以形成錐形的底電極本體，并使所述錐形的尖端背向所述襯底層且位于設定位置處，包括：
對所述待加工層進行刻蝕以形成多個錐形的底電極本體，并使所述錐形的尖端背向所述襯底層且位于設定位置處，多個所述底電極本體沿設定方向間隔排列，相鄰兩個所述底電極本體之間具有設定距離。
9.根據權利要求7所述的阻變式存儲器的制造方法，其特征在于，所述底電極本體和頂電極為氮化鈦材質，所述介電層為二氧化硅材質。
10.根據權利要求7所述的阻變式存儲器的制造方法，其特征在于，所述阻變層為二氧化鉿材質。
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